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参数资料
| 型号： | HEF4000BT,653 |
| 厂商： | NXP Semiconductors |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DUAL 3INPUT NOR GATE 14-SOIC |
| 产品培训模块： | Logic Packages |
| 标准包装： | 2,500 |
| 系列： | 4000B |
| 逻辑类型： | 或非/反相门 |
| 电路数： | 2 |
| 输入数： | 7 输入（3，3，1） |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 14-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 14-SO |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | 933372580653 HEF4000BTD-T HEF4000BTD-T-ND |
January 1995
3
Philips Semiconductors
Product specication
Dual 3-input NOR gate and inverter
HEF4000B
gates
DC CHARACTERISTICS
For the single inverter stage (I7/O3):
see Family Specifications for input voltages HIGH and LOW (unbuffered stages only).
AC CHARACTERISTICS
VSS = 0 V; Tamb =25 °C; CL = 50 pF; input transition times ≤ 20 ns
VDD
V
SYMBOL
TYP.
MAX.
TYPICAL EXTRAPOLATION
FORMULA
Propagation delays
5
70
140
ns
43 ns
+ (0,55 ns/pF) CL
I1 to I6 → O1,O2
10
tPHL; tPLH
35
70
ns
24 ns
+ (0,23 ns/pF) CL
15
30
55
ns
22 ns
+ (0,16 ns/pF) CL
5
45
90
ns
18 ns
+ (0,55 ns/pF) CL
I7 → O3
10
tPHL; tPLH
25
50
ns
14 ns
+ (0,23 ns/pF) CL
(unbuffered output)
15
20
40
ns
12 ns
+ (0,16 ns/pF) CL
Output transition times
5
60
120
ns
10 ns
+ (1,0 ns/pF) CL
HIGH to LOW
10
tTHL
30
60
ns
9 ns
+ (0,42 ns/pF) CL
15
20
40
ns
6 ns
+ (0,28 ns/pF) CL
5
60
120
ns
10 ns
+ (1,0 ns/pF) CL
LOW to HIGH
10
tTLH
30
60
ns
9 ns
+ (0,42 ns/pF) CL
15
20
40
ns
6 ns
+ (0,28 ns/pF) CL
VDD
V
TYPICAL FORMULA FOR P (
W)
Dynamic power
5
1 000 fi +∑ (foCL) × VDD2
where
dissipation per
10
7 700 fi +∑ (foCL) × VDD2
fi = input freq. (MHz)
package (P)
15
28 700 fi +∑ (foCL) × VDD2
fo = output freq. (MHz)
CL = load capacitance (pF)
∑ (f
oCL) = sum of outputs
VDD = supply voltage (V)
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| HEF4000BTD-T | 功能描述:逻辑门 DUAL 3-INPUT NOR GATE/INVRTR RoHS:否 制造商:Texas Instruments 产品:OR 逻辑系列:LVC 栅极数量:2 线路数量（输入/输出）:2 / 1 高电平输出电流:- 16 mA 低电平输出电流:16 mA 传播延迟时间:3.8 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:1.65 V 最大工作温度:+ 125 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DCU-8 封装:Reel |
| HEF4001B | 制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:Quadruple 2-input NOR gate |
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