参数资料
型号: HEF4013BT,652
厂商: NXP Semiconductors
文件页数: 11/16页
文件大小: 0K
描述: IC FLIP FLOP DUAL D TYPE 14SOIC
产品培训模块: Logic Packages
标准包装: 57
系列: 4000B
功能: 设置(预设)和复位
类型: D 型
输出类型: 差分
元件数: 2
每个元件的位元数: 1
频率 - 时钟: 40MHz
延迟时间 - 传输: 30ns
触发器类型: 正边沿
输出电流高,低: 3.4mA,3.4mA
电源电压: 3 V ~ 15 V
工作温度: -40°C ~ 125°C
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 14-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
包装: 管件
产品目录页面: 842 (CN2011-ZH PDF)
其它名称: 568-1685-5
933372660652
HEF4013BTD
HEF4013B
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Product data sheet
Rev. 8 — 21 November 2011
4 of 16
NXP Semiconductors
HEF4013B
Dual D-type flip-flop
8.
Limiting values
[1]
For DIP14 packages: above Tamb = 70 C, Ptot derates linearly with 12 mW/K.
[2]
For SO14 packages: above Tamb = 70 C, Ptot derates linearly with 8 mW/K.
[3]
For TSSOP14 packages: above Tamb = 60 C, Ptot derates linearly with 5.5 mW/K.
9.
Recommended operating conditions
Table 4.
Limiting values
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134). Voltages are referenced to VSS = 0 V (ground).
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Max
Unit
VDD
supply voltage
0.5
+18
V
IIK
input clamping current
VI < 0.5 V or VI >VDD + 0.5 V
-
10
mA
VI
input voltage
0.5
VDD + 0.5
V
IOK
output clamping current
VO < 0.5 V or VO >VDD + 0.5 V
-
10
mA
II/O
input/output current
-
10
mA
IDD
supply current
-
50
mA
Tstg
storage temperature
65
+150
C
Tamb
ambient temperature
40
+125
C
Ptot
total power dissipation
Tamb = 40 C to +125 C
DIP14
750
mW
SO14
500
mW
TSSOP14
500
mW
P
power dissipation
per output
-
100
mW
Table 5.
Recommended operating conditions
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Max
Unit
VDD
supply voltage
3
15
V
VI
input voltage
0
VDD
V
Tamb
ambient temperature
40
+125
C
t/V
input transition rise and fall rate
VDD = 5 V
-
3.75
s/V
VDD = 10 V
-
0.5
s/V
VDD = 15 V
-
0.08
s/V
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PDF描述
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参数描述
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