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参数资料
| 型号： | HFA1110EVAL |
| 厂商： | Intersil |
| 文件页数： | 8/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | EVALUATION PLATFORM HFA1110 |
| 标准包装： | 1 |
| 每 IC 通道数： | 1 - 单 |
| 放大器类型： | 缓冲器 |
| 输出类型： | 单端 |
| 转换速率： | 1300 V/µs |
| -3db带宽： | 850MHz |
| 电流 - 输出 / 通道： | 60mA |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 电流供应（主 IC）： | 21mA |
| 电压 - 电源，单路/双路(±)： | 9 V ~ 11 V，±4.5 V ~ 5.5 V |
| 板类型： | 完全填充 |
| 已供物品： | 板 |
| 已用 IC / 零件： | HFA1110 |
8
FN2944.8
June 6, 2006
Die Characteristics
DIE DIMENSIONS:
63 mils x 44 mils x 19 mils
1600
m x 1130m x 483m
METALLIZATION:
Type: Metal 1: AlCu(2%)/TiW
Thickness: Metal 1: 8k
±0.4k
Type: Metal 2: AlCu(2%)
Thickness: Metal 2: 16k
±0.8k
PASSIVATION:
Type: Nitride
Thickness: 4k
±0.5k
TRANSISTOR COUNT:
52
SUBSTRATE POTENTIAL (POWERED UP):
Floating (Recommend Connection to V-)
Metallization Mask Layout
HFA1110
V-
NC
OUT
IN
NC
V+
NC
HFA1110
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| VI-23F-EY | CONVERTER MOD DC/DC 72V 50W |
| GCA30DTKN | CONN EDGECARD 60POS DIP .125 SLD |
| FFSD-10-S-06.00-01-N | CABLE ASSEM .05" 20PS SGL END 6" |
| GCA30DTKH | CONN EDGECARD 60POS DIP .125 SLD |
| ECM18DTMH-S189 | CONN EDGECARD 36POS R/A .156 SLD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| HFA1110IB | 功能描述:IC BUFFER CFA 750MHZ 8-SOIC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> Linear - Amplifiers - Instrumentation 系列:- 标准包装:50 系列:LinCMOS™ 放大器类型:通用 电路数:4 输出类型:- 转换速率:0.05 V/µs 增益带宽积:110kHz -3db带宽:- 电流 - 输入偏压:0.7pA 电压 - 输入偏移:210µV 电流 - 电源:57µA 电流 - 输出 / 通道:30mA 电压 - 电源，单路/双路(±):3 V ~ 16 V，±1.5 V ~ 8 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:14-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:14-SOIC 包装:管件 产品目录页面:865 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:296-1834296-1834-5 |
| HFA1110IBZ | 功能描述:运算放大器 - 运放 BUFR 750MHZ CFB UNITY-GAIN IND RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道数量:4 共模抑制比（最小值）:63 dB 输入补偿电压:1 mV 输入偏流（最大值）:10 pA 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 转换速度:0.89 V/us 关闭:No 输出电流:55 mA 最大工作温度:+ 125 C 封装:Reel |
| HFA1110IJ | 制造商:Harris Corporation 功能描述: |
| HFA1110IP | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:850MHZ UNITY GAIN BUFFER,8 PIN PDIP - Bulk |
| HFA1110MJ/883 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
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