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参数资料
| 型号： | HFA135NH40 |
| 厂商： | Vishay Semiconductors |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | DIODE HEXFRED 400V 135A HALF-PAK |
| 标准包装： | 60 |
| 系列： | HEXFRED® |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.3V @ 135A |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 9µA @ 400V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： | 135A |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 400V |
| 反向恢复时间(trr)： | 120ns |
| 二极管类型： | 标准 |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 二极管配置： | 单路 |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | D-67 半封装 |
| 供应商设备封装： | HALF-PAK |
| 包装： | 散装 |
| 其它名称： | *HFA135NH40 |
HFA135NH40PbF
HEXFRED ?
Ultrafast Soft Recovery Diode,
275 A
Vishay High Power Products
1000
100
160
140
120
100
T J = 150 °C
8 0
DC
10
1
T J = 125 °C
T J = 25 °C
60
40
20
0
0.2
0.7
1.2
1.7
2.2
2.7
3.2
0
50
100
150
200
250
300
350
10
V FM - Forward Voltage Drop (V)
Fig. 1 - Maximum Forward Voltage Drop vs.
Instantaneous Forward Current
I F(AV) - DC Forward Current (A)
Fig. 4 - Maximum Allowable Case Temperature vs. DC
Forward Current
450
T J = 150 °C
400
T J = 125 °C
T J = 25 °C
1
0.1
0.01
T J = 125 °C
350
300
250
200
I F = 200 A
I F = 135 A
I F = 50 A
150
0.001
0.0001
T J = 25 °C
100
50
0
100
200
300
400
100
1000
10 000
V R - Reverse Voltage (V)
Fig. 2 - Typical Reverse Current vs.
Reverse Voltage
dI F /dt (A/μs)
Fig. 5 - Typical Reverse Recovery Time vs. dI F /dt
70
60
T J = 125 °C
T J = 25 °C
50
I F = 200 A
1000
T J = 25 °C
40
I F = 135 A
I F = 50 A
30
20
10
100
1
10
100
1000
0
100
1000
V R - Reverse Voltage (V)
Fig. 3 - Typical Junction Capacitance vs. Reverse Voltage
dI F /dt (A/μs)
Fig. 6 - Typical Recovery Current vs. dI F /dt
Document Number: 94050
Revision: 01-Aug-08
For technical questions, contact: ind-modules@vishay.com
www.vishay.com
3
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