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参数资料
| 型号： | HFA60MB60C |
| 厂商： | Vishay Semiconductors |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 295K |
| 描述： | DIODE HEXFRED 600V 50A D-60 |
| 产品目录绘图： | D-60 Circuit D-60 Side D-60 Top |
| 标准包装： | 10 |
| 系列： | HEXFRED® |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.5V @ 30A |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 10µA @ 600V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： | 50A（DC） |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 600V |
| 反向恢复时间(trr)： | 100ns |
| 二极管类型： | 标准 |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 二极管配置： | 1 对共阴极 |
| 安装类型： | 通孔，径向 |
| 封装/外壳： | TO-249AA（改进型），D-60 |
| 供应商设备封装： | D-60 |
| 包装： | 散装 |
| 产品目录页面： | 1533 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | *HFA60MB60C |
HFA60MB60C
4
PD-2.462 rev. A 03/99
Fig. 7
- Typical Stored Charge vs. di
f/dt,
(per Leg)
Fig. 8
- Typical di
(rec)M/dt vs. dif/dt,
(per Leg)
Fig. 5
- Typical Reverse Recovery vs. di
f/dt,
(per Leg)
Fig. 6
- Typical Recovery Current vs. di
f/dt,
(per Leg)
0
10
20
30
40
100 1000di /dt - (A/
f
μs)
I = 30AF
I = 15AF
t - (ns)
rr
I = 70AF
V = 200VR
T = 125J
°C
T = 25°CJ
0
400
800
1200
1600
100 1000
di /dt - (A/μs)
f
RR
Q - (nC)
I = 30AF
I = 15AF
I = 70AF
V = 200VR
T = 125J
°C
T = 25°CJ
10
100
1000
10000
100 1000
di /dt - (A/μs)
f
di(rec)M/dt - (A/
μs)
I = 15AF
I = 30AF
I = 70AF
V = 200VR
T = 125J
°C
T = 25°CJ
30
60
90
120
150
100 1000di /dt - (A/
f
μs)
I = 30AF
I = 15AF
t - (ns)
rr
I = 70AF
V = 200VR
T = 125J
°C
T = 25°CJ
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| HFA60MC60C | 功能描述:DIODE HEXFRED 600V 50A TO-249AA RoHS:是 类别:半导体模块 >> 二极管，整流器 系列:HEXFRED® 标准包装:10 系列:- 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）:1.45V @ 30A 电流 - 在 Vr 时反向漏电:15µA @ 400V 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）:30A 电压 - (Vr)（最大）:400V 反向恢复时间(trr):65ns 二极管类型:标准 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 二极管配置:2 个独立式 安装类型:底座安装 封装/外壳:ISOTOP 供应商设备封装:ISOTOP? 包装:管件 |
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