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参数资料
| 型号： | HFA70NC60CSL |
| 厂商： | Vishay Semiconductors |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 210K |
| 描述： | DIODE HEXFRED 600V 56A D61-8-SL |
| 标准包装： | 20 |
| 系列： | HEXFRED® |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.5V @ 35A |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 10µA @ 600V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： | 56A（DC） |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 600V |
| 反向恢复时间(trr)： | 110ns |
| 二极管类型： | 标准 |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 二极管配置： | 1 对共阴极 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | D-61-8-SL |
| 供应商设备封装： | D-61-8-SL |
| 包装： | 散装 |
| 其它名称： | *HFA70NC60CSL |
HFA70NC60CSL
2
PD-2.461 rev. B 01/99
Electrical Characteristics (per Leg) @ TJ
= 25°C (unless otherwise specified)
Dynamic Recovery Characteristics (per Leg) @ TJ
= 25°C (unless otherwise specified)
Parameter
Min.
Typ.
Max. Units
Test Conditions
VBR
Cathode Anode Breakdown Voltage 600 ––– ––– V I
R
= 100μA
VFM
Max Forward Voltage ––– 1.3 1.5 I
F
= 35A
––– 1.5 1.7 V I
F
= 70A
––– 1.2 1.4 I
F
= 35A, T
J
= 125°C
IRM
Max Reverse Leakage Current ––– 2.0 10 μA V
R
= V
R
Rated
––– 0.50 2.0 mA T
J
= 125°C, V
R
= 480V
See Fig. 2
CT
Junction Capacitance ––– 68 100 pF V
R
= 200V
LS
Series Inductance ––– 5.5 ––– nH Lead to lead 5mm from package body
See Fig. 1
See Fig. 3
/dt1 Peak Rate of Fall of Recovery Current ––– 280 ––– T
/dt2 During t
A/μs
b
––– 180 ––– T
Reverse Recovery Charge ––– 210 580 T
––– 520 1400 T
nC
Peak Recovery Current ––– 6.0 11 T
––– 9.0 16 TA
Parameter
Min.
Typ.
Max.
Units Test Conditions
trr
Reverse Recovery Time ––– 30 ––– I
F
= 1.0A, di
f/dt = 200A/μs, V
R
= 30V
trr1
––– 70 110 ns T
J
= 25°C
trr2
––– 115 180 T
J
= 125°C I
5
F
= 35A
IRRM1
J
= 25°C
IRRM2
J
= 125°C V
6
R
= 200V
Qrr1
J
= 25°C
Qrr2
J
= 125°C di
7
f/dt = 200A/μs
di(rec)M
J
= 25°C
di(rec)M
J
= 125°C
See Fig.
See Fig.
See Fig.
See Fig.
8
Outline D 61- 8-SL
Dimensions in millimeters and (inches)
FOOT PRINT
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