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参数资料
| 型号： | HI3-0508A-5Z |
| 厂商： | Intersil |
| 文件页数： | 7/20页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MULTIPLEXER 8X1 16DIP |
| 标准包装： | 25 |
| 功能： | 多路复用器 |
| 电路： | 1 x 8:1 |
| 导通状态电阻： | 1.8 千欧 |
| 电压电源： | 双电源 |
| 电压 - 电源，单路/双路(±)： | ±15V |
| 电流 - 电源： | 500µA |
| 工作温度： | 0°C ~ 75°C |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | 16-DIP（0.300"，7.62mm） |
| 供应商设备封装： | 16-PDIP |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1242 (CN2011-ZH PDF) |
15
FN3143.6
October 30, 2007
Die Characteristics
DIE DIMENSIONS:
159 mils x 83.9 mils
METALLIZATION:
Type: CuAl
Thickness: 16k
±2k
SUBSTRATE POTENTIAL (NOTE):
-VSUPPLY
PASSIVATION:
Silox: 12k
±2k
Nitride: 3.5k
±1k
WORST CASE CURRENT DENSITY:
1.4 x 105 A/cm2
TRANSISTOR COUNT:
485
PROCESS:
CMOS-DI
NOTE: The substrate appears resistive to the -VSUPPLY terminal, therefore it may be left floating (Insulating Die Mount) or it may be mounted on a
conductor at -VSUPPLY potential.
Metallization Mask Layouts
HI-506A
HI-507A
IN 9
IN 10
IN 11
IN 12
IN 13
IN 14
IN 15
IN 16
V- (27)
+V (1)
NC (2)
IN 1
IN 2
IN 3
IN 4
IN 5
IN 6
IN 7
IN 8
EN
A0
A1 A2
VREF
GND
(18)
(17)
(16) (15)
(13)
(12)
(19)
(20)
(21)
(22)
(23)
(24)
(25)
(26)
(4)
(5)
(6)
(7)
(8)
(9)
(10)
(11)
OUT (28)
A3
(14)
IN 1B
IN 2B
IN 3B
IN 4B
IN 5B
IN 6B
IN 7B
IN 8B
V- (27)
+V (1)
OUT B(2)
IN 1A
IN 2A
IN 3A
IN 4A
IN 5A
IN 6A
IN 7A
IN 8A
EN
A0
A1 A2
NC VREF
GND
(18)
(17)
(16) (15)
(14) (13)
(12)
(19)
(20)
(21)
(22)
(23)
(24)
(25)
(26)
(4)
(5)
(6)
(7)
(8)
(9)
(10)
(11)
OUT A (28)
HI-506A, HI-507A, HI-508A, HI-509A
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| HI3-0509-5Z | 制造商:Intersil Corporation 功能描述:IC MUX 4CH DP DIP16 |
| HI3-0509A5 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Interface IC |
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