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参数资料
| 型号： | HIN207EIB |
| 厂商： | HARRIS SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 通用总线功能 |
| 英文描述： | 5V High-Speed RS-232 Transceivers with 0.1uF Capacitors |
| 中文描述： | LINE TRANSCEIVER, PDSO24 |
| 文件页数： | 16/17页 |
| 文件大小： | 247K |
| 代理商： | HIN207EIB |
3-16
Die Characteristics
DIE DIMENSIONS:
160 mils x 140 mils
METALLIZATION:
Type: Al
Thickness: 10k
±
1k
SUBSTRATE POTENTIAL
V+
PASSIVATION:
Type: Nitride over Silox
Nitride Thickness: 8k
Silox Thickness: 7k
TRANSISTOR COUNT:
238
PROCESS:
CMOS Metal Gate
Metallization Mask Layout
HIN241A
Typical Performance Curves
FIGURE 9.
V- SUPPLY VOLTAGE vs V
CC
FIGURE 10. V+, V- OUTPUT VOLTAGE vs LOAD
12
10
8
6
4
2
0
3.5
4.0
4.5
V
CC
6.0
V
5.0
5.5
3.0
0.1
μ
F
35
|I
LOAD
| (mA)
V+ (V
CC
= 4V)
V+ (V
CC
= 5V)
V- (V
CC
= 5V)
V- (V
CC
= 4V)
T
A
= 25
o
C
TRANSMITTER OUTPUTS
OPEN CIRCUIT
30
25
20
15
10
5
0
S
0
12
10
8
6
4
2
T3
OUT
T1
OUT
T2
OUT
R2
IN
R2
OUT
T2
IN
T1
IN
R1
OUT
R1
IN
GND
V
CC
C1+
V+
C1-
C2+
C2-
V-
R5
IN
R5
OUT
T3
IN
T4
IN
R4
OUT
R4
IN
EN
SHD
T4
OUT
R3
IN
R3
OUT
HIN202A thru HIN241A
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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