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参数资料
| 型号： | HIP2101EIB-T |
| 厂商： | Intersil Corporation |
| 英文描述： | 100V/2A Peak, Low Cost, High Frequency Half Bridge Driver |
| 中文描述： | 100V/2A山顶，低成本，高频率的一半桥式驱动器 |
| 文件页数： | 2/12页 |
| 文件大小： | 413K |
| 代理商： | HIP2101EIB-T |
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FN9025.8
Application Block Diagram
Pinouts
HIP2101 (SOIC, EPSOIC)
TOP VIEW
HIP2101IR4 (DFN)
TOP VIEW
HIP2101 (QFN)
TOP VIEW
NOTE: EPAD = Exposed PAD.
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NC
EPAD
SECONDARY
CIRCUIT
+100V
C
CONTROLLER
PWM
LI
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HO
LO
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DD
HS
HB
+12V
V
SS
HIP2101
REFERENCE
AND
ISOLATION
DRIVE
LO
DRIVE
HI
HIP2101
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HIP2101EIBZ-T | 100V/2A Peak, Low Cost, High Frequency Half Bridge Driver |
| HIP2101IR-T | 100V/2A Peak, Low Cost, High Frequency Half Bridge Driver |
| HIP4010 | Interface IC |
| HIP4080AIBT | DC Motor Controller/Driver |
| HIP4081AIBT | DC Motor Controller/Driver |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| HIP2101EIBZ | 功能描述:功率驱动器IC 100V H-BRDG DRVR 8LD EP RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| HIP2101EIBZT | 功能描述:功率驱动器IC 100V H-BRDG DRVR 8LD EP RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| HIP2101EIBZ-T | 制造商:INTERSIL 制造商全称:Intersil Corporation 功能描述:100V/2A Peak, Low Cost, High Frequency Half Bridge Driver |
| HIP2101IB | 功能描述:功率驱动器IC 100V H-BRDG DRVR RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| HIP2101IBT | 功能描述:IC DRIVER HALF-BRIDGE 8-SOIC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:低端 输入类型:非反相 延迟时间:40ns 电流 - 峰:9A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:- 电源电压:4.5 V ~ 35 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-6，D²Pak（5 引线+接片），TO-263BA 供应商设备封装:TO-263 包装:管件 |
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