- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录20577 > HIP2122FRTAZ-T (Intersil)IC INTERFACE PDF资料下载
参数资料
| 型号： | HIP2122FRTAZ-T |
| 厂商： | Intersil |
| 文件页数： | 2/16页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC INTERFACE |
| 标准包装： | 6,000 |
| 系列： | * |
HIP2122, HIP2123
Block Diagram
VDD
HB
HIP2122,
HIP2123
UNDER
VOLTAGE
LEVEL
SHIFT
HO
HS
HO
HIP2122
HIP2122/23
DELAY
RDT
LO
OPTIONAL INVERSION
FOR FUTURE PART
NUMBERS
DELAY
EPAD IS
UNDER
VOLTAGE
LO
HIP2122
HIP2122/23
ELECTRICALLY
ISOLATED
VSS
EPAD
Pin Configurations
HIP2122, HIP2123
(10 LD 4X4 TDFN)
TOP VIEW
HIP2122, HIP2123
(9 LD 4X4 TDFN)
TOP VIEW
VDD
1
10 LO
VDD
1
10 LO
HB
2
9
VSS
9
VSS
HO
HS
NC
3
4
5
EPAD
8
7
6
LI
HI
RDT
HB
HO
HS
3
4
5
EPAD
8
7
6
LI
HI
RDT
2
FN7670.0
December 23, 2011
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GSM08DRMI | CONN EDGECARD 16POS .156 SQ WW |
| F931V106MCC | CAP TANT 10UF 35V 20% 2312 |
| TL431IDG | IC VREF SHUNT PREC ADJ 8-SOICN |
| MBR30H45CT-E3/45 | DIODE SCHOTTKY 30A 45V TO220-3 |
| MBR30H35CT-E3/45 | DIODE SCHOTTKY 30A 35V TO220-3 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| HIP2122FRTBZ | 功能描述:功率驱动器IC 100V 2A PEAK HALF BRDG DRV W/DELAY TMR RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| HIP2122FRTBZ-T | 功能描述:功率驱动器IC 100V 2A PEAK HALF BRDG DRV W/DELAY TMR RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| HIP2123 | 制造商:INTERSIL 制造商全称:Intersil Corporation 功能描述:100V, 2A Peak, High Frequency Half-Bridge Drivers with Rising Edge Delay Timer |
| HIP2123FRTAZ | 功能描述:功率驱动器IC 100V 2A PEAK HALF BRDG DRV W/DELAY TMR RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| HIP2123FRTAZ-T | 功能描述:功率驱动器IC 100V 2A PEAK HALF BRDG DRV W/DELAY TMR RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。