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参数资料
| 型号： | HIP6601BCB |
| 厂商： | Intersil |
| 文件页数： | 5/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DRIVER MOSFET DUAL 8-SOIC |
| 标准包装： | 98 |
| 配置： | 高端和低端，同步 |
| 输入类型： | PWM |
| 电流 - 峰： | 400mA |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 2 |
| 高端电压 - 最大（自引导启动）： | 15V |
| 电源电压： | 10.8 V ~ 13.2 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOIC |
| 包装： | 管件 |
HIP6601B, HIP6603B, HIP6604B
Electrical Specifications
Recommended Operating Conditions, Unless Otherwise Noted. Boldface limits apply over the operating temperature
range, 0°C to +85°C
MIN
MAX
PARAMETER
SYMBOL
TEST CONDITIONS
(Note 6)
TYP
(Note 6)
UNITS
OUTPUT
Upper Drive Source Impedance
Upper Drive Sink Impedance
Lower Drive Source Current
Equivalent Drive Source Impedance
Lower Drive Sink Impedance
R UGATE
R UGATE
I LGATE
R LGATE
R LGATE
V PVCC = 5V
V PVCC = 12V
V PVCC = 5V
V PVCC = 12V
V PVCC = 5V
V PVCC = 12V
V PVCC = 5V
V PVCC = 5V or 12V
-
-
-
-
400
500
-
-
1.7
3.0
2.3
1.1
580
730
9
1.6
3.0
5.0
4.0
2.0
-
-
-
4.0
Ω
Ω
Ω
Ω
mA
mA
Ω
Ω
NOTE:
6. Parameters with MIN and/or MAX limits are 100% tested at +25°C, unless otherwise specified. Temperature limits established by characterization
and are not production tested.
5
FN9072.8
May 1, 2012
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| HIP6601BCBZA-T | 功能描述:功率驱动器IC W/ANNEAL SYNCH-RECT BUCK FET DRVR RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
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