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参数资料
| 型号： | HIP6601BECB-T |
| 厂商： | Intersil |
| 文件页数： | 3/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DRVR MOSFET SYNC BUCK 8EPSOIC |
| 标准包装： | 2,500 |
| 配置： | 高端和低端，同步 |
| 输入类型： | PWM |
| 电流 - 峰： | 400mA |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 2 |
| 高端电压 - 最大（自引导启动）： | 15V |
| 电源电压： | 10.8 V ~ 13.2 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm Width）裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 8-SOIC-EP |
| 包装： | 带卷 (TR) |
HIP6601B, HIP6603B, HIP6604B
Typical Application: 3-Channel Converter Using HIP6301 and HIP6601B Gate Drivers
+12V
+5V
BOOT
+5V
VCC
PWM
PVCC
DRIVE
HIP6601B
+5V
UGATE
PHASE
LGATE
+12V
BOOT
+V CORE
VFB
VCC
COMP
VCC
PVCC
UGATE
PGOOD
VSEN
PWM1
PWM2
PWM3
PWM
DRIVE
HIP6601B
PHASE
LGATE
MAIN
CONTROL
VID
HIP6301
ISEN1
ISEN2
FS
GND
3
ISEN3
VCC
PWM
+5V
PVCC
DRIVE
HIP6601B
BOOT
UGATE
PHASE
LGATE
+12V
FN9072.8
May 1, 2012
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GBM12DTBS-S189 | CONN EDGECARD 24POS R/A .156 SLD |
| B240-13 | DIODE SCHOTTKY 40V 2A SMB |
| GCM08DTBN-S189 | CONN EDGECARD 16POS R/A .156 SLD |
| HIP6601BECB | IC DRVR MOSFET SYNC BUCK 8EPSOIC |
| VE-B6B-CX-F3 | CONVERTER MOD DC/DC 95V 75W |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| HIP6601BECBZ | 功能描述:功率驱动器IC SYNCHRONUSCTIFIED BUCK MSFT DRVR RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| HIP6601BECBZA | 功能描述:功率驱动器IC W/ANNEAL SYNCHRONUSC BUCK MSFT DRVR RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| HIP6601BECBZA-T | 功能描述:功率驱动器IC W/ANNEAL SYNCHRONUSC BUCK MSFT DRVR RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| HIP6601BECBZ-T | 功能描述:功率驱动器IC SYNCHRONUSCTIFIED BUCK MSFT DRVR RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| HIP6601CB | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:SYNCHRONUS-RECTIFIED BUCK MOSFET DRIVER - Bulk |
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