- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录371822 > HIP6602B (Intersil Corporation) Dual Channel Synchronous Rectified Buck MOSFET Driver PDF资料下载
参数资料
| 型号： | HIP6602B |
| 厂商： | Intersil Corporation |
| 英文描述： | Dual Channel Synchronous Rectified Buck MOSFET Driver |
| 中文描述： | 双通道同步整流降压MOSFET驱动器 |
| 文件页数： | 4/12页 |
| 文件大小： | 319K |
| 代理商： | HIP6602B |
4
FN9076.5
July 22, 2005
Typical Application - 4 Channel Converter Using a HIP6303 and HIP6602B Gate Driver
MAIN
CONTROL
HIP6303
FB
+5V
COMP
PWM1
PWM2
ISEN2
PWM3
PWM4
ISEN4
VSEN
FS/DIS
ISEN1
ISEN3
GND
BOOT2
UGATE2
PHASE2
LGATE2
BOOT1
UGATE1
PHASE1
LGATE1
PWM1
PVCC
+5V/12V
VCC
DUAL
DRIVER
HIP6602B
BOOT4
UGATE4
PHASE4
LGATE4
BOOT3
UGATE3
PHASE3
LGATE3
PWM3
PVCC
VCC
DUAL
DRIVER
HIP6602B
V
CC
+V
CORE
PWM2
PWM4
EN
VID
PGOOD
+12V
+12V
+12V
+12V
+12V
+5V/12V
+12V
PGND
GND
PGND
GND
HIP6602B
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HIP6602BCBZ-T | Dual Channel Synchronous Rectified Buck MOSFET Driver |
| HIP6602BCR-T | Dual Channel Synchronous Rectified Buck MOSFET Driver |
| HIP6602BCB | FPGA 1600000 SYSTEM GATE 1.8 VOLT - NOT RECOMMENDED for NEW DESIGN |
| HIP6602BCR | FPGA 1600000 SYSTEM GATE 1.8 VOLT - NOT RECOMMENDED for NEW DESIGN |
| HIP6602BCRZ | FPGA 1600000 SYSTEM GATE 1.8 VOLT - NOT RECOMMENDED for NEW DESIGN |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| HIP6602BCB | 功能描述:IC DRVR MOSF 2CH SYC BUCK 14SOIC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:低端 输入类型:非反相 延迟时间:40ns 电流 - 峰:9A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:- 电源电压:4.5 V ~ 35 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-6，D²Pak（5 引线+接片），TO-263BA 供应商设备封装:TO-263 包装:管件 |
| HIP6602BCBT | 制造商:INTERSIL 功能描述:New |
| HIP6602BCB-T | 功能描述:IC DRIVER MOSFET QUAD 14-SOIC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:低端 输入类型:非反相 延迟时间:40ns 电流 - 峰:9A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:- 电源电压:4.5 V ~ 35 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-6，D²Pak（5 引线+接片），TO-263BA 供应商设备封装:TO-263 包装:管件 |
| HIP6602BCBZ | 功能描述:功率驱动器IC LD VER OF HIP6602BCB RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| HIP6602BCBZ-T | 功能描述:功率驱动器IC LD VER OF HI6602BCB- RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。