参数资料
型号: HIP6602BCB-T
厂商: INTERSIL CORP
元件分类: 功率晶体管
英文描述: Dual Channel Synchronous Rectified Buck MOSFET Driver
中文描述: 0.73 A 2 CHANNEL, HALF BRDG BASED MOSFET DRIVER, PDSO14
封装: PLASTIC, MS-012AB, SOIC-14
文件页数: 2/12页
文件大小: 319K
代理商: HIP6602BCB-T
2
FN9076.5
July 22, 2005
Pinouts
Block Diagram
HIP6602B (SOIC)
TOP VIEW
HIP6602 (16 LD QFN)
TOP VIEW
PWM1
PWM2
GND
LGATE1
1
2
3
4
14
13
12
PHASE1
UGATE1
BOOT1
PVCC
10
9
8
7
6
5
BOOT2
UGATE2
PHASE2
VCC
PGND
LGATE2
11
1
3
4
15
GND
LG1
PVCC
PGND
P
P
V
P
16
14
13
2
12
10
9
11
6
5
7
8
UG1
BOOT1
BOOT2
UG2
N
L
P
N
VCC
PWM1
+5V
10K
10K
CONTROL
LOGIC
SHOOT-
THROUGH
PROTECTION
BOOT1
UGATE1
PHASE1
LGATE1
PGND
PWM2
10K
10K
SHOOT-
THROUGH
PROTECTION
BOOT2
UGATE2
PHASE2
LGATE2
+5V
GND
PVCC
PVCC
PVCC
PVCC
PGND
PGND
HIP6602B
PAD
package MUST be soldered to the PC board
For HIP6602BCR, the PAD on the bottom side of the
HIP6602B
相关PDF资料
PDF描述
HIP6602BCBZ Dual Channel Synchronous Rectified Buck MOSFET Driver
HIP6604BCR-T Synchronous Rectified Buck MOSFET Drivers
HIP6601B Synchronous Rectified Buck MOSFET Drivers
HIP6601BCB Synchronous Rectified Buck MOSFET Drivers
HIP6601BCB-T Synchronous Rectified Buck MOSFET Drivers
相关代理商/技术参数
参数描述
HIP6602BCBZ 功能描述:功率驱动器IC LD VER OF HIP6602BCB RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
HIP6602BCBZ-T 功能描述:功率驱动器IC LD VER OF HI6602BCB- RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
HIP6602BCR 功能描述:IC DRVR MOSF 2CH SYC BUCK 16-QFN RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:低端 输入类型:非反相 延迟时间:40ns 电流 - 峰:9A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大(自引导启动):- 电源电压:4.5 V ~ 35 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-6,D²Pak(5 引线+接片),TO-263BA 供应商设备封装:TO-263 包装:管件
HIP6602BCR-T 功能描述:IC DRVR MOSF 2CH SYC BUCK 16-QFN RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:低端 输入类型:非反相 延迟时间:40ns 电流 - 峰:9A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大(自引导启动):- 电源电压:4.5 V ~ 35 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-6,D²Pak(5 引线+接片),TO-263BA 供应商设备封装:TO-263 包装:管件
HIP6602BCRZ 功能描述:功率驱动器IC DL CH SYNCHCT BUCK MOSF DRVR RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube