型号: | HIP6602BCR-T |
厂商: | INTERSIL CORP |
元件分类: | 功率晶体管 |
英文描述: | Dual Channel Synchronous Rectified Buck MOSFET Driver |
中文描述: | 0.73 A 2 CHANNEL, HALF BRDG BASED MOSFET DRIVER, PQCC16 |
封装: | 5 X 5 MM, PLASTIC, MO-220VHHB, QFN-16 |
文件页数: | 4/12页 |
文件大小: | 319K |
代理商: | HIP6602BCR-T |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
---|---|
HIP6602BCB | FPGA 1600000 SYSTEM GATE 1.8 VOLT - NOT RECOMMENDED for NEW DESIGN |
HIP6602BCR | FPGA 1600000 SYSTEM GATE 1.8 VOLT - NOT RECOMMENDED for NEW DESIGN |
HIP6602BCRZ | FPGA 1600000 SYSTEM GATE 1.8 VOLT - NOT RECOMMENDED for NEW DESIGN |
HIP6602BCB-T | Dual Channel Synchronous Rectified Buck MOSFET Driver |
HIP6602BCBZ | Dual Channel Synchronous Rectified Buck MOSFET Driver |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
---|---|
HIP6602BCRZ | 功能描述:功率驱动器IC DL CH SYNCHCT BUCK MOSF DRVR RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
HIP6602BCRZA | 功能描述:功率驱动器IC W/ANNEAL DL CH SYNCH CT BUCK MOSF DRVR RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
HIP6602BCRZA-T | 功能描述:功率驱动器IC W/ANL DL CH SYNCHCT BUCK MOSF DRVR RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
HIP6602BCRZ-T | 功能描述:功率驱动器IC DL CH SYNCHCT BUCK MOSF DRVR RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
HIP6602CB | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |