型号: | HIP6603BCB |
厂商: | INTERSIL CORP |
元件分类: | 功率晶体管 |
英文描述: | FPGA 1600000 SYSTEM GATE 1.8 VOLT - NOT RECOMMENDED for NEW DESIGN |
中文描述: | 0.73 A HALF BRDG BASED MOSFET DRIVER, PDSO8 |
封装: | PLASTIC, MS-012AA, SOIC-8 |
文件页数: | 4/11页 |
文件大小: | 346K |
代理商: | HIP6603BCB |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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HIP6603BCB-T | Synchronous Rectified Buck MOSFET Drivers |
HIP6601BECB | Synchronous Rectified Buck MOSFET Drivers |
HIP6603BECB | Synchronous Rectified Buck MOSFET Drivers |
HIP6601BECB-T | CONNECTOR |
HIP6603BECB-T | Synchronous Rectified Buck MOSFET Drivers |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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HIP6603BCB-T | 功能描述:IC DRIVER MOSFET SYNC BUCK 8SOIC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:低端 输入类型:非反相 延迟时间:40ns 电流 - 峰:9A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大(自引导启动):- 电源电压:4.5 V ~ 35 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-6,D²Pak(5 引线+接片),TO-263BA 供应商设备封装:TO-263 包装:管件 |
HIP6603BCBZ | 功能描述:功率驱动器IC SYNCHCT BUCK MSFT DRVR FLEXIBLE G RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
HIP6603BCBZ-T | 功能描述:功率驱动器IC SYNCHCT BUCK MOS DRVR FLEXIBLE GATE RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
HIP6603BECB | 功能描述:IC DRIVER MOSF SYNC BUCK 8EPSOIC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:低端 输入类型:非反相 延迟时间:40ns 电流 - 峰:9A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大(自引导启动):- 电源电压:4.5 V ~ 35 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-6,D²Pak(5 引线+接片),TO-263BA 供应商设备封装:TO-263 包装:管件 |
HIP6603BECB-T | 功能描述:IC DRIVER MOSF SYNC BUCK 8EPSOIC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:低端 输入类型:非反相 延迟时间:40ns 电流 - 峰:9A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大(自引导启动):- 电源电压:4.5 V ~ 35 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-6,D²Pak(5 引线+接片),TO-263BA 供应商设备封装:TO-263 包装:管件 |