参数资料
型号: HIP6603BECB
厂商: INTERSIL CORP
元件分类: 功率晶体管
英文描述: Synchronous Rectified Buck MOSFET Drivers
中文描述: 0.73 A HALF BRDG BASED MOSFET DRIVER, PDSO8
封装: PLASTIC, EPSOIC-8
文件页数: 3/11页
文件大小: 346K
代理商: HIP6603BECB
3
FN9072.7
July 20, 2005
Typical Application: 3-Channel Converter Using HIP6301 and HIP6601B Gate Drivers
+5V
BOOT
UGATE
PHASE
LGATE
PWM
VCC
+12V
+5V
BOOT
UGATE
PHASE
LGATE
PWM
VCC
PVCC
DRIVE
HIP6601B
+12V
+5V
BOOT
UGATE
PHASE
LGATE
PWM
VCC
+12V
+V
CORE
PGOOD
VID
FS
GND
ISEN3
ISEN2
ISEN1
PWM3
PWM2
PWM1
VSEN
MAIN
CONTROL
HIP6301
VFB
VCC
+5V
COMP
PVCC
DRIVE
HIP6601B
PVCC
DRIVE
HIP6601B
HIP6601B, HIP6603B, HIP6604B
相关PDF资料
PDF描述
HIP6601BECB-T CONNECTOR
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HJF-A-200 Analog IC
相关代理商/技术参数
参数描述
HIP6603BECB-T 功能描述:IC DRIVER MOSF SYNC BUCK 8EPSOIC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:低端 输入类型:非反相 延迟时间:40ns 电流 - 峰:9A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大(自引导启动):- 电源电压:4.5 V ~ 35 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-6,D²Pak(5 引线+接片),TO-263BA 供应商设备封装:TO-263 包装:管件
HIP6603BECBZ 功能描述:功率驱动器IC SYNCHRONUSCTIFIED BUCK MSFT DRVR RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
HIP6603BECBZ-T 功能描述:功率驱动器IC SYNCCTIFIED BUCK MSFT DRVR RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
HIP6603CB 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:SYNCHRONUS-FET DRIVER,12V/5V DRIVE - Bulk
HIP6603ECB 制造商:INTERSIL 制造商全称:Intersil Corporation 功能描述:Synchronous Rectified Buck MOSFET Drivers