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参数资料
| 型号： | HIRF630 |
| 厂商： | HSMC CORP. |
| 英文描述： | N-Channel MOSFETs |
| 中文描述： | N沟道MOSFET |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 53K |
| 代理商： | HIRF630 |
HI-SINCERITY
MICROELECTRONICS CORP.
Spec. No. : HE6732-A
Issued Date : 1998.07.01
Revised Date : 1999.08.01
Page No. : 2/5
HSMC Product Specification
Characteristics
(Ta=25
°
C)
Symbol
V(BR)DSS
VGS(th)
IDSS
IGSS
IGSS
Qg
Qgs
Qgd
ton
td(off)
tf
VDS(on)
ID(on)
RDS(on)
Ciss
Coss
Crss
Min.
200
2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
9
-
-
-
-
Typ.
-
-
-
-
-
-
-
-
200
90
60
-
-
-
800
240
90
Max.
-
4
25
100
-100
40
8
10
-
-
-
2
-
0.4
-
-
-
Unit
V
V
uA
nA
nA
nC
nC
nC
nS
nS
nS
V
A
pF
pF
pF
Test Conditions
ID=100uA
VDS=4V, ID=250uA
VDS=200V
VGS=20V
VGS=-20V
ID=10A
VDS=200V
VGS=10V
VDD=100V
ID=5A
VGS=10V
ID=5.0A, VG = 10V
VDS=10V, VGS=10V
VGS=10V, ID = 5.4A
VGS=0V
VDS=25V
f=1MHz
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