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参数资料
| 型号： | HMC409LP4E |
| 厂商： | HITTITE MICROWAVE CORP |
| 元件分类： | 放大器 |
| 英文描述： | 3300 MHz - 3800 MHz RF/MICROWAVE NARROW BAND MEDIUM POWER AMPLIFIER |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, LEADLESS, PLASTIC, SMT, 24 PIN |
| 文件页数： | 7/8页 |
| 文件大小： | 700K |
| 代理商： | HMC409LP4E |
For price, delivery and to place orders: Hittite Microwave Corporation, 20 Alpha Road, Chelmsford, MA 01824
Phone: 978-250-3343
Fax: 978-250-3373
Order On-line at www.hittite.com
Application Support: Phone: 978-250-3343 or apps@hittite.com
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T
pin number
function
Description
interface schematic
1-3, 5, 6, 8, 10 -14,
18, 19, 21, 22, 24
n/C
no connection required. These pins may be connected to
rf/DC ground without affecting performance.
4
rfin
This pin is AC coupled
and matched to 50 ohms.
7
Vpd
power control pin. for maximum power, this pin should
be connected to 5V thru a 56 resistor. A high-voltage or
small resistor is not recommended for lower idle current.
This voltage can be reduced or the resistor increased.
9
Vbias
DC power supply pin for bias circuitry
15, 16, 17
rfoUT
rf output and DC bias for the output stage.
20
Vcc2
power supply voltage for the second amplifier stage.
external bypass capacitors and pull up choke are required
as shown in the application schematic.
23
Vcc1
power supply voltage for the first amplifier stage. external
bypass capacitors are required as shown in the application
schematic.
GnD
Ground: Backside of package has exposed metal ground
slug that must be connected to ground thru a short path.
Vias under the device are required.
Pin Descriptions
HMC409LP4 / 409LP4E
GaAs InGaP HBT 1 WATT
POWER AMPLIFIER, 3.3 - 3.8 GHz
v03.0710
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