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参数资料
型号： HMM4148
厂商： HSMC CORP.
英文描述： SURFACE MOUNT SITCHING DIODES
中文描述： 表面贴装二极管SITCHING
文件页数： 1/3页
文件大小： 36K
代理商： HMM4148
HI-SINCERITY
MICROELECTRONICS CORP.
HMM4148
SURFACE MOUNT SWITCHING DIODES
Spec. No. :Preliminary Data
Issued Date : 1999.05.01
Revised Date : 1999.09.01
Page No. : 1/3
HSMC Product Specification
Description
The HMM4148 is designed for high-speed switching application in hybrid thick-and thin-film
circuits.
Absolute Maximum Ratings
( Operating temperature range applies unless otherwise specified )
Characteristics
Reverse Voltage
Peak Reverse Voltage
Rectified Current(Average)
Half Wave Rectification with Resistive Load at
Tamb=25
°
C and f
≥
50Hz
Surge Forward Current at t<1s and Tj=25
°
C
Power Dissipation at Tamb=25
°
C
Junction Temperature
Storage Temperature Range
Symbol
V
R
I
RM
Value
75
100
Unit
V
V
I
O
150
mA
I
FSM
P
tot
T
j
T
s
500
500
200
mA
mW
°
C
°
C
-65 to +200
Characteristics
( Tj=25
°
C)
Characteristics
Symbol
V
F
Min
-
-
-
-
100
-
Typ
-
-
-
-
-
-
Max
1
25
5
50
-
-4
Unit
V
nA
uA
uA
V
pF
Forward Voltage at I
F
=10mA
Leakage Current at
V
R
=20V
V
R
=75V
V
R
=20V, Tj=150
°
C
I
R
Reverse Breakdown Voltage tested with 100us Pulses
Capacitance at V
F
= V
R
=0
Voltage Rise when Switching On Tested with 50mA
Forward Pulses T
p
=0.1us, Rise Time<30ns, fp=5~100kHz
Reverse Recovery Time From
I
F
=-I
R
=10mA to I
RR
=-1mA, V
R
=6V, R
L
=100
Thermal Resistance
Function to Ambient Air
Rectification Efficiency at f=100MHz, V
RF
=2V
V
(BR)R
C
tot
V
fr
-
-
2.5
V
t
rr
-
-
4
ns
R
thA
-
-
0.35 K/mW
η
v
0.45
-
-
-
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PDF描述
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