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参数资料
| 型号： | HSMS-8202T32 |
| 元件分类： | 射频混频器 |
| 英文描述： | SILICON, X-KU BAND, MIXER DIODE |
| 文件页数： | 1/3页 |
| 文件大小： | 65K |
| 代理商： | HSMS-8202T32 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HSS83 | 0.15 A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-34 |
| HTA-002-MHG | INTERCONNECTION DEVICE |
| HTPB25FN7/FN7/FN7X | 25 CONTACT(S), FEMALE-FEMALE-FEMALE, D SUBMINIATURE CONNECTOR, SOLDER |
| HU-1T2012-500JT | 1 FUNCTIONS, 4 A, FERRITE CHIP |
| HU-1T2012-500JL | 1 FUNCTIONS, 4 A, FERRITE CHIP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| HSMS-8202-TR1 | 功能描述:DIODE SCHOTTKY MIXER 4V SOT23 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> RF 二极管 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 二极管类型:PIN - 单 电压 - 峰值反向(最大):50V 电流 - 最大:50mA 电容@ Vr, F:0.4pF @ 50V，1MHz 电阻@ Vr, F:4.5 欧姆 @ 10mA，100MHz 功率耗散（最大）:100mW 封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商设备封装:3-MCP 包装:带卷 (TR) |
| HSMS-8202-TR1G | 功能描述:射频混合器 4 VBR 0.26 pF RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 频率范围: 转换损失——最大: 工作电源电压:6 V 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:PDIP-8 封装:Tube |
| HSMS-8202-TR2 | 制造商:AGILENT 制造商全称:AGILENT 功能描述:Surface Mount Microwave Schottky Mixer Diodes |
| HSMS-8202-TR2G | 功能描述:射频混合器 4 VBR 0.26 pF RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 频率范围: 转换损失——最大: 工作电源电压:6 V 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:PDIP-8 封装:Tube |
| HSMS-8205PAIR | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Surface Mount Microwave Schottky Mixer Diodes (69K in pdf) |
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