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参数资料
| 型号： | HSMS-8209-BLK |
| 英文描述： | Surface Mount Microwave Schottky Mixer Diodes |
| 中文描述： | 表面安装微波肖特基二极管混频器 |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 106K |
| 代理商： | HSMS-8209-BLK |
2
DC Electrical Specifications, T
A
= 25
°
C
Symbol
Parameters and Test Conditions
Units
Min.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max.
V
BR
Breakdown Voltage
I
R
= 10
μ
A
Total Capacitance
V
R
= 0 V, f = 1 MHz
Capacitance Difference
V
R
= 0 V, f = 1 MHz
Dynamic Resistance
I
F
= 5 mA
Dynamic Resistance Difference
I
F
= 5 mA
Forward Voltage
I
F
= 1 mA
Forward Voltage Difference
I
F
= 1 mA
Lead Code
V
4
4
4
4
C
T
pF
0.26
0.26
0.26
0.26
C
T
pF
—
0.04
0.04
0.04
R
D
14
14
14
14
R
D
—
2
2
2
V
F
mV
250
350
250
350
250
350
250
350
V
F
mV
—
20
20
20
1
2
7
9
Package Marking Code in White
where x is date code
R1x
2Rx
R7x
R9x
RF Electrical Parameters, T
A
= 25
°
C
Symbol
Parameter
L
c
Conversion Loss at 12 GHz
Z
IF
IF Impedance
SWR
SWR at 12 GHz
Note:
DC Load Resistance = 0
; LO Power = 1 mW.
Units
dB
Typical
6.3
150
1.2
SPICE Parameters
I
S
= 4.6 E-8
R
S
= 6
N = 1.09
B
V
= 7.3
I
BV
= 10E-5
E
G
= 0.69
C
JO
= 0.18 E-12
P
B
(V
J
) = 0.5
M = 0.5
FC = 0.5
TT = 0
Linear Equivalent Circuit
0.17 pF
R
j
0.08 pF
1.0 nH
1.3 nH
6
Self Bias
1 mA
263
2.5 mA
142
R
j
HSMS-8202
HSMS-8207
HSMS-8209
HSMS-8101
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| HSMS-8209-TR1G | 功能描述:射频混合器 4 VBR 0.26 pF RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 频率范围: 转换损失——最大: 工作电源电压:6 V 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:PDIP-8 封装:Tube |
| HSMS-8209-TR2 | 制造商:AGILENT 制造商全称:AGILENT 功能描述:Surface Mount Microwave Schottky Mixer Diodes |
| HSMS-8209-TR2G | 功能描述:射频混合器 4 VBR 0.26 pF RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 频率范围: 转换损失——最大: 工作电源电压:6 V 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:PDIP-8 封装:Tube |
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