- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录18758 > HUF75332P3 (Fairchild Semiconductor)MOSFET N-CH 55V 60A TO-220AB PDF资料下载
参数资料
| 型号： | HUF75332P3 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 6/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 55V 60A TO-220AB |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 标准包装： | 400 |
| 系列： | UltraFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 55V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 60A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 19 毫欧 @ 60A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 85nC @ 20V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1300pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 145W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220AB |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | HUF75332P3-ND HUF75332P3FS |
HUF75332P3
Test Circuits and Waveforms
V DS
BV DSS
L
t P
V DS
VARY t P TO OBTAIN
REQUIRED PEAK I AS
R G
+
V DD
I AS
V DD
V GS
DUT
-
0V
t P
I AS
0.01 ?
0
t AV
FIGURE 14. UNCLAMPED ENERGY TEST CIRCUIT
V DS
FIGURE 15. UNCLAMPED ENERGY WAVEFORMS
V GS
R L
+
V DD
V DS
Q g(10)
Q g(TOT)
V GS = 20V
I G(REF)
DUT
-
V DD
0
V GS
V GS = 2V
Q g(TH)
Q gs
Q gd
V GS = 10V
I g(REF)
0
FIGURE 16. GATE CHARGE TEST CIRCUIT
FIGURE 17. GATE CHARGE WAVEFORM
V DS
R L
V DS
t ON
t d(ON)
90%
t r
t OFF
t d(OFF)
t f
90%
V GS
+
-
V DD
0
10%
10%
R GS
DUT
90%
V GS
50%
50%
V GS
0
10%
PULSE WIDTH
FIGURE 18. SWITCHING TIME TEST CIRCUIT
?2005 Fairchild Semiconductor Corporation
FIGURE 19. RESISTIVE SWITCHING WAVEFORMS
HUF75332P3 Rev. C0
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| LFB182G45SG9B740 | FILTER BANDPASS 2.45GHZ 0603 |
| EM260-RTR | IC ZIGBEE SYSTEM-ON-CHIP 40-QFN |
| MD7IC18120GNR1 | IC PWR AMP RF LDMOS TO270-16 |
| TRC105 | IC TXRX 300MHZ-510MHZ 32TQFN |
| MT-6-15 | XFRMR 115V 5V 1.75A 6VA 3OUT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| HUF75332P3_NL | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
| HUF75332S3 | 功能描述:MOSFET DISC BY MFG 2/02 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| HUF75332S3S | 功能描述:MOSFET DISC BY MFG 2/02 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| HUF75332S3ST | 功能描述:MOSFET 60a 55V 0.019 Ohm Logic Level N-Ch RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| HUF75333G3 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:66A, 55V, 0.016 Ohm. N-Channel UltraFET Power MOSFETs |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。