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参数资料
| 型号： | HUF75345S3 |
| 厂商： | HARRIS SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 75 A, 55 V, 0.007 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA |
| 文件页数： | 3/12页 |
| 文件大小： | 268K |
| 代理商： | HUF75345S3 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HUFA75307D3 | 15A, 55V, 0.090 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFETs |
| HUFA75307D3S | 15A, 55V, 0.090 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFETs |
| HUFA75307P3 | 15A, 55V, 0.090 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFETs |
| HUFA75307T3ST | 2.6A, 55V, 0.090 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFET |
| HUFA75309D3 | 19A, 55V, 0.070 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFETs |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| HUF75345S3S | 功能描述:MOSFET 75a 55V 0.007Ohm NCh UltraFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| HUF75345S3ST | 功能描述:MOSFET 75a 55V 0.007Ohm NCh UltraFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| HUF75345S3ST_NL | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
| HUF75531SK8 | 功能描述:MOSFET SO-8 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| HUF75531SK8T | 功能描述:MOSFET 6a 80V N-Ch MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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