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参数资料
| 型号： | HUF75631S3ST |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | UltraFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 33A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 40 毫欧 @ 33A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 79nC @ 20V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1220pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 120W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263（D2Pak） |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | HUF75631S3STFSDKR |
HUF75631S3S
Data Sheet
N-Channe l UltraFET Power MOSFET
100 V, 33 A, 40 m?
Packaging
JEDEC TO-263AB
DRAIN
(FLANGE)
GATE
SOURCE
Symbol
O ctober 20 13
Features
? Ultra Low On-Resistance
- r DS(ON) = 0.040 ?, V GS = 10V
? Simulation Models
- Temperature Compensated PSPICE? and SABER?
Electrical Models
- Spice and SABER Thermal Impedance Models
- www.fairchildsemi.com
? Peak Current vs Pulse Width Curve
? UIS Rating Curve
Ordering Information
D
PART NUMBER
HUF75631S3ST
PACKAGE
TO- 263AB
BRAND
75631S
G
S
Absolute Maximum Ratings
T C = 25 o C, Unless Otherwise Specified
HUF75631S3ST
UNITS
Drain to Source Voltage (Note 1) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . V DSS
Drain to Gate Voltage (R GS = 20k ? ) (Note 1) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . V DGR
Gate to Source Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . V GS
Drain Current
Continuous (T C = 25 o C, V GS = 10V) (Figure 2) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . I D
Continuous (T C = 100 o C, V GS = 10V) (Figure 2) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . I D
Pulsed Drain Current . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . I DM
Pulsed Avalanche Rating . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . UIS
Power Dissipation 8 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . P D
Derate Above 25 o C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Operating and Storage Temperature . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . T J , T STG
Maximum Temperature for Soldering
Leads at 0.063in (1.6mm) from Case for 10s. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . T L
Package Body for 10s, See Techbrief TB334. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . T pkg
100
100
± 20
33
23
Figure 4
Figures 6, 14, 15
120
0.80
-55 to 175
300
260
V
V
V
A
A
W
W/ o C
o C
o C
o C
NOTE:
1. T J = 25 o C to 150 o C.
CAUTION: Stresses above those listed in “Absolute Maximum Ratings” may cause permanent damage to the device. This is a stress only rating and operation of the
device at these or any other conditions above those indicated in the operational sections of this specification is not implied.
Product reliability information can be found at http://www.fairchildsemi.com/products/discrete/reliability/index.html
For severe environments, see our Automotive HUFA series.
All Fairchild semiconductor products are manufactured, assembled and tested under ISO9000 and QS9000 quality systems certification.
?2001 Fairchild Semiconductor Corporation
HUF75631S3S Rev. C0
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参数描述 |
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