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参数资料
| 型号： | HUF75639S3S |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 5/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 56A D2PAK |
| 标准包装： | 400 |
| 系列： | UltraFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 56A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 25 毫欧 @ 56A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 130nC @ 20V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2000pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 200W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D²PAK |
| 包装： | 管件 |
HUF75639G3, HUF75639P3, HUF75639S3S, HUF75639S3
Typical Performance Curves
(Continued)
3.0
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
1.2
V GS = V DS , I D = 250 μ A
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
V GS = 10V, I D = 56A
1.0
0.8
0.6
-80
-40
0
40
80
120
160
200
-80
-40
0
40
80
120
160
200
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C)
FIGURE 9. NORMALIZED DRAIN TO SOURCE ON
RESISTANCE vs JUNCTION TEMPERATURE
1.2
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C)
FIGURE 10. NORMALIZED GATE THRESHOLD VOLTAGE vs
JUNCTION TEMPERATURE
3000
C OSS ≈ C DS + C GD
1.1
1.0
0.9
I D = 250 μ A
2500
2000
1500
1000
500
0
C ISS
C OSS
C RSS
V GS = 0V, f = 1MHz
C ISS = C GS + C GD
C RSS = C GD
-80
-40
0
40
80
120
160
200
0
10
20
30
40
50
60
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C)
FIGURE 11. NORMALIZED DRAIN TO SOURCE BREAKDOWN
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
FIGURE 12. CAPACITANCE vs DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
VOLTAGE vs JUNCTION TEMPERATURE
10
8
6
4
WAVEFORMS IN
DESCENDING ORDER:
2
0
V DD = 50V
I D = 56A
I D = 37A
I D = 18A
0
10
20
30
40
50
60
Qg, GATE CHARGE (nC)
NOTE: Refer to Fairchild Application Notes AN7254 and AN7260.
FIGURE 13. GATE CHARGE WAVEFORMS FOR CONSTANT GATE CURRENT
?2001 Fairchild Semiconductor Corporation
HUF75639G3, HUF75639P3, HUF75639S3S, HUF75639S3 Rev. C0
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 95A1D-Z28-EA0/303L | POT 500K OHM 5/8" SQ 1/2W PLAS |
| ASG-C-X-B-20.000MHZ-T | OSC 20.00 MHZ 2.5V LVCMOS SMD |
| ASVMPC-14.31818MHZ-LY-T3 | OSC 14.31818 MHZ CMOS MEMS SMD |
| 46-402-A-04 | SWITCH PUSH DPDT 0.25A 115V |
| 46-402-A-01 | SWITCH PUSH DPDT 0.25A 115V |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| HUF75639S3S_Q | 功能描述:MOSFET 56a 100V N-Ch UltraFET .25 Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| HUF75639S3ST | 功能描述:MOSFET 56a 100V N-Ch UltraFET 0.025 Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| HUF75639S3ST_Q | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
| HUF75639S3ST_S2515 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
| HUF75639S3STNL | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
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