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参数资料
| 型号： | HUF75645S3ST |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | UltraFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 75A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 14 毫欧 @ 75A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 238nC @ 20V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3790pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 310W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D²PAK |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1606 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | HUF75645S3STDKR |
HUF75645P3, HUF75645S3S
Typical Performance Curves
1.2
1.0
80
0.8
60
V GS = 10V
0.6
40
0.4
20
0.2
0
0
25
50
75
100
125
150
175
0
25
50
75
100
125
150
175
T C , CASE TEMPERATURE ( o C)
FIGURE 1. NORMALIZED POWER DISSIPATION vs CASE
TEMPERATURE
2
DUTY CYCLE - DESCENDING ORDER
T C , CASE TEMPERATURE ( o C)
FIGURE 2. MAXIMUM CONTINUOUS DRAIN CURRENT vs
CASE TEMPERATURE
1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
P DM
0.1
t 1
t 2
NOTES:
0.01
SINGLE PULSE
DUTY FACTOR: D = t 1 /t 2
PEAK T J = P DM x Z θ JC x R θ JC + T C
10 -5
10 -4
10 -3
10 -2
10 -1
10 0
10 1
t, RECTANGULAR PULSE DURATION (s)
FIGURE 3. NORMALIZED MAXIMUM TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE
2000
T C = 25 o C
FOR TEMPERATURES
1000
ABOVE 25 o C DERATE PEAK
CURRENT AS FOLLOWS:
I = I 25
175 - T C
150
V GS = 10V
100
50
TRANSCONDUCTANCE
MAY LIMIT CURRENT
IN THIS REGION
10 -5
10 -4
10 -3
10 -2
10 -1
10 0
10 1
t, PULSE WIDTH (s)
FIGURE 4. PEAK CURRENT CAPABILITY
?2001 Fairchild Semiconductor Corporation
HUF75645P3, HUF75645S3S Rev. C0
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 561-2601-090F | LED 5MM VERT HE TINT YLW PC MNT |
| 26PCBFD6G | SENSOR VACUUM GAGE +-5 PSI |
| 26PCAFH6G | SENSOR VACUUM GAGE +-1 PSI |
| 0639024700 | FINE ADJUST APPLICATOR |
| 561-2601-080F | LED 5MM VERT HE TINT YLW PC MNT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| HUF75645S3ST_NL | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
| HUF75645S3ST_Q | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| HUF75652G3 | 功能描述:MOSFET 75a 100VN-Ch MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| HUF75652G3_NL | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| HUF75652G3_Q | 功能描述:MOSFET 75a 100VN-Ch MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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