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参数资料
| 型号： | HUF76629D3 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 6/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 20A IPAK |
| 标准包装： | 1,800 |
| 系列： | UltraFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 20A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 52 毫欧 @ 20A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 46nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1285pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 110W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
| 供应商设备封装： | I-Pak |
| 包装： | 管件 |
HUF76629D3S
Test Circuits and Waveforms
V DS
BV DSS
L
t P
V DS
VARY t P TO OBTAIN
REQUIRED PEAK I AS
R G
+
V DD
I AS
V DD
V GS
DUT
-
0V
t P
I AS
0.01 ?
0
t AV
FIGURE 17. UNCLAMPED ENERGY TEST CIRCUIT
V DS
FIGURE 18. UNCLAMPED ENERGY WAVEFORMS
V GS
R L
+
V DD
V DS
Q g(5)
Q g(TOT)
V GS = 10V
I g(REF)
DUT
-
V DD
0
V GS
V GS = 1V
Q g(TH)
Q gs
Q gd
V GS = 5V
I g(REF)
0
FIGURE 19. GATE CHARGE TEST CIRCUIT
FIGURE 20. GATE CHARGE WAVEFORMS
V DS
R L
V DS
t ON
t d(ON)
90%
t r
t OFF
t d(OFF)
t f
90%
V GS
+
-
V DD
0
10%
10%
R GS
DUT
90%
V GS
50%
50%
V GS
FIGURE 21. SWITCHING TIME TEST CIRCUIT
?2001 Fairchild Semiconductor Corporation
0
10%
PULSE WIDTH
FIGURE 22. SWITCHING TIME WAVEFORM
HUF76629D3S Rev. C0
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| HUF76629D3ST | 功能描述:MOSFET 20a 100V 0.054 Ohm Logic Level N-Ch RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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| HUF76629D3ST_SB82250 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:FSCHUF76629D3ST_SB82250 ULTRAFET POWER M |
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