- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录367266 > HUFA75229P3 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 44A I(D) | TO-220AB PDF资料下载
参数资料
| 型号： | HUFA75229P3 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 44A I(D) | TO-220AB |
| 中文描述： | 晶体管| MOSFET的| N沟道| 50V五（巴西）直|第44A（丁）| TO - 220AB现有 |
| 文件页数： | 6/10页 |
| 文件大小： | 657K |
| 代理商： | HUFA75229P3 |
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
HUFA75639S3R4851 Rev. A
Test Circuits and Waveforms
FIGURE 14. UNCLAMPED ENERGY TEST CIRCUIT
FIGURE 15. UNCLAMPED ENERGY WAVEFORMS
FIGURE 16. GATE CHARGE TEST CIRCUIT
FIGURE 17. GATE CHARGE WAVEFORM
FIGURE 18. SWITCHING TIME TEST CIRCUIT
FIGURE 19. RESISTIVE SWITCHING WAVEFORMS
t
P
V
GS
0.01
L
I
AS
+
-
V
DS
V
DD
R
G
DUT
VARY t
P
TO OBTAIN
REQUIRED PEAK I
AS
0V
V
DD
V
DS
BV
DSS
t
P
I
AS
t
AV
0
R
L
V
GS
+
-
V
DS
V
DD
DUT
I
G(REF)
V
DD
Q
g(TH)
Q
gs
V
GS
= 2V
Q
g(10)
V
GS
= 10V
Q
g(TOT)
V
GS
= 20V
V
DS
V
GS
I
g(REF)
0
0
Q
gd
V
GS
R
L
R
GS
DUT
+
-
V
DD
V
DS
V
GS
t
ON
t
d(ON)
t
r
90%
10%
V
DS
90%
10%
t
f
t
d(OFF)
t
OFF
90%
50%
50%
10%
PULSE WIDTH
V
GS
0
0
HUFA75639S3R4851
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HUFA75321S3ST | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 35A I(D) | TO-263AB |
| HUFA75333S3ST | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 66A I(D) | TO-263AB |
| HUFA75337S3ST | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 75A I(D) | TO-263AB |
| HUFA75339S3ST | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 75A I(D) | TO-263AB |
| HUFA75343S3ST | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 75A I(D) | TO-263AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| HUFA75307D3 | 功能描述:MOSFET 15a 55V N-Channel UltraFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| HUFA75307D3S | 功能描述:MOSFET 15a 55V N-Channel UltraFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| HUFA75307D3ST | 功能描述:MOSFET 15a 55V N-Channel UltraFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| HUFA75307P3 | 功能描述:MOSFET 15a 55V N-Channel UltraFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| HUFA75307P3_Q | 功能描述:MOSFET 15a 55V N-Channel UltraFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。