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参数资料
| 型号： | HUFA75309P3 |
| 厂商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 19A, 55V, 0.070 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFETs |
| 中文描述： | 19 A, 55 V, 0.07 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 文件页数： | 10/10页 |
| 文件大小： | 217K |
| 代理商： | HUFA75309P3 |
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
HUFA75309P3, HUFA75309D3, HUFA75309D3S Rev. B
SPICE Thermal Model
REV February 1999
HUFA75309
CTHERM1 th 6 8e-4
CTHERM2 6 5 1e-3
CTHERM3 5 4 2e-3
CTHERM4 4 3 2.8e-3
CTHERM5 3 2 5.5e-3
CTHERM6 2 tl 1.6e-2
RTHERM1 th 6 1e-3
RTHERM2 6 5 7e-3
RTHERM3 5 4 9e-2
RTHERM4 4 3 4e-1
RTHERM5 3 2 6e-1
RTHERM6 2 tl 9.5e-1
SABER Thermal Model
SABER thermal model HUFA75309
template thermal_model th tl
thermal_c th, tl
{
ctherm.ctherm1 th 6 = 8e-4
ctherm.ctherm2 6 5 = 1e-3
ctherm.ctherm3 5 4 = 2e-3
ctherm.ctherm4 4 3 = 2.8e-3
ctherm.ctherm5 3 2 = 5.5e-3
ctherm.ctherm6 2 tl = 1.6e-2
rtherm.rtherm1 th 6 = 1e-3
rtherm.rtherm2 6 5 = 7e-3
rtherm.rtherm3 5 4 = 9e-2
rtherm.rtherm4 4 3 = 4e-1
rtherm.rtherm5 3 2 = 6e-1
rtherm.rtherm6 2 tl = 9.5e-1
}
RTHERM4
RTHERM6
RTHERM5
RTHERM3
RTHERM2
RTHERM1
CTHERM4
CTHERM6
CTHERM5
CTHERM3
CTHERM2
CTHERM1
tl
2
3
4
5
6
th
JUNCTION
CASE
HUFA75309P3, HUFA75309D3, HUFA75309D3S
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HUFA75309T3ST | 3A, 55V, 0.070 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFET |
| HUFA75321D3 | 20A, 55V, 0.036 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFETs |
| HUFA75321D3S | 20A, 55V, 0.036 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFETs |
| HUFA75321P3 | 35A, 55V, 0.034 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFETs |
| HUW025/02 | 3-OUTPUT 25 W DC-DC REG PWR SUPPLY MODULE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| HUFA75309T3ST | 功能描述:MOSFET 19a 55V N-Channel UltraFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| HUFA75321D3 | 功能描述:MOSFET 20a 55V N-Channel UltraFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| HUFA75321D3S | 功能描述:MOSFET 20a 55V N-Channel UltraFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| HUFA75321D3ST | 功能描述:MOSFET 20a 55V N-Channel UltraFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| HUFA75321D3STQ | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
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