型号: | HUFA75321S3ST |
英文描述: | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 35A I(D) | TO-263AB |
中文描述: | 晶体管| MOSFET的| N沟道| 55V的五(巴西)直| 35A条(丁)|对263AB |
文件页数: | 4/10页 |
文件大小: | 657K |
代理商: | HUFA75321S3ST |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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HUFA75333S3ST | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 66A I(D) | TO-263AB |
HUFA75337S3ST | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 75A I(D) | TO-263AB |
HUFA75339S3ST | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 75A I(D) | TO-263AB |
HUFA75343S3ST | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 75A I(D) | TO-263AB |
HUFA75344S3ST | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 75A I(D) | TO-263AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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HUFA75329D3 | 功能描述:MOSFET 55V N-Ch PowerMOSFET UltraFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
HUFA75329D3S | 功能描述:MOSFET 20a 55V N-Channel UltraFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
HUFA75329D3ST | 功能描述:MOSFET 20a 55V N-Channel UltraFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
HUFA75329D3T | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 20A I(D) | TO-251AA |
HUFA75329G3 | 功能描述:MOSFET 55V 49a 0.024 Ohms Logic Level N-Ch RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |