参数资料
型号: HUFA76409D3
厂商: Fairchild Semiconductor
文件页数: 6/10页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 60V 18A IPAK
产品培训模块: High Voltage Switches for Power Processing
标准包装: 75
系列: UltraFET™
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 18A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 63 毫欧 @ 18A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 15nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 485pF @ 25V
功率 - 最大: 49W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA
供应商设备封装: I-Pak
包装: 管件
HUFA76409D3, HUFA76409D3ST
Test Circuits and Waveforms
V DS
BV DSS
L
t P
V DS
VARY t P TO OBTAIN
REQUIRED PEAK I AS
R G
+
V DD
I AS
V DD
V GS
DUT
-
0V
t P
I AS
0.01 ?
0
t AV
FIGURE 17. UNCLAMPED ENERGY TEST CIRCUIT
V DS
FIGURE 18. UNCLAMPED ENERGY WAVEFORMS
V GS
R L
+
V DD
V DS
Q g(5)
Q g(TOT)
V GS = 10V
I g(REF)
DUT
-
V DD
0
V GS
V GS = 1V
Q g(TH)
Q gs
Q gd
V GS = 5V
I g(REF)
0
FIGURE 19. GATE CHARGE TEST CIRCUIT
FIGURE 20. GATE CHARGE WAVEFORMS
V DS
R L
V DS
t ON
t d(ON)
90%
t r
t OFF
t d(OFF)
t f
90%
V GS
+
-
V DD
0
10%
10%
R GS
DUT
90%
V GS
50%
50%
V GS
FIGURE 21. SWITCHING TIME TEST CIRCUIT
?2001 Fairchild Semiconductor Corporation
0
10%
PULSE WIDTH
FIGURE 22. SWITCHING TIME WAVEFORM
HUFA76409D3, HUFA76409D3ST Rev. A1
相关PDF资料
PDF描述
HUFA76409D3S MOSFET N-CH 60V 18A DPAK
ABLS-LR-10.000MHZ-T CRYSTAL 10.000MHZ 18PF LOW ESR
ABLS-LR-3.6864MHZ-T CRYSTAL 3.6864MHZ 18PF LOW ESR
ABLS-LR-4.9152MHZ-T CRYSTAL 4.9152MHZ 18PF LOW ESR
GLGA12A2B SWITCH SIDE-ROTRY ROLL SNAP SPDT
相关代理商/技术参数
参数描述
HUFA76409D3S 功能描述:MOSFET 17a 60V N-Channel Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
HUFA76409D3ST 功能描述:MOSFET 17a 60V N-Channel Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
HUFA76409D3ST_B76008A 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:FSCHUFA76409D3ST_B76008A N- CHANNEL MOSF
HUFA76409P3 功能描述:MOSFET 17a 60V N-Channel Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
HUFA76409T3ST 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: