型号: | HUFA76633S3ST |
英文描述: | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 38A I(D) | TO-263AB |
中文描述: | 晶体管| MOSFET的| N沟道| 100V的五(巴西)直| 38A条(丁)|对263AB |
文件页数: | 9/10页 |
文件大小: | 657K |
代理商: | HUFA76633S3ST |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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HUFA76639S3ST | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 51A I(D) | TO-263AB |
HUFA76645S3ST | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 75A I(D) | TO-263AB |
HUFA75229P3 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 44A I(D) | TO-220AB |
HUFA75321S3ST | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 35A I(D) | TO-263AB |
HUFA75333S3ST | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 66A I(D) | TO-263AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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HUFA76639P3 | 功能描述:MOSFET 50a 100V 0.027 Ohm Logic Level N-Ch RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
HUFA76639S3S | 功能描述:MOSFET 50a 100V 0.027 Ohm Logic Level N-Ch RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
HUFA76639S3ST | 功能描述:MOSFET 50a 100V 0.027 Ohm Logic Level N-Ch RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
HUFA76645P3 | 功能描述:MOSFET 75a 100V 0.015 Ohm Logic Level N-Ch RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
HUFA76645S3S | 功能描述:MOSFET 75a 100V 0.015 Ohm Logic Level N-Ch RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |