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参数资料
| 型号： | HVM14SR |
| 厂商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon Epitaxial Planar PIN Diode for High Frequency Attenuator |
| 中文描述： | 硅PIN二极管外延平面高频衰减器 |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 28K |
| 代理商： | HVM14SR |
HVM14S
2
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25
°
C)
Item
Symbol
Value
Unit
Reverse voltage
V
R
I
F
P
d
*1
Tj
50
V
Forward current
50
mA
Power dissipation
100
mW
Junction temperature
125
°
C
°
C
Storage temperature
Note:
1. Two device total.
Tstg
-55to+125
Electrical Characteristics (Ta = 25
°
C)
*2
Item
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test Condition
Forward voltage
V
F
I
R
C
1.0
V
I
F
= 50 mA
V
R
= 50V
V
R
= 50V, f = 1 MHz
I
F
= 10 mA, f = 100 MHz
C=200pF, Both forward and reverse direction
1 pulse
Reverse current
100
nA
Capacitance
0.25
pF
Forward resistance
r
f
7
ESD-Capability
*1
200
V
Note:
Note:
1. Failure criterion ; I
R
≥
200nA at VR =50 V
2. Per one device.
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PDF描述 |
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参数描述 |
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