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参数资料
| 型号： | HVM306 |
| 厂商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon Epitaxial Planar Diode for Lowpass Circuit(低通电路的平面外延二极管) |
| 中文描述： | 硅外延平面二极管低通电路（低通电路的平面外延二极管） |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 30K |
| 代理商： | HVM306 |
HVM306
2
Electrical Characteristics
(Ta = 25°C)
Item
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test Condition
Reverse current
I
R (1)
I
R (2)
C
2
C
25
n
—
—
10
nA
V
R
= 30V
V
R
= 30V, Ta= 60°C
V
R
= 2V, f = 1MHz
V
R
= 25V, f = 1MHz
C
2
/C
25
C = 9pF, f = 470MHz
—
—
100
Capacitance
29.4
—
34.3
pF
2.67
—
3.02
Capacitance ratio
10.0
—
—
—
Series resistance
r
s
—
—
0.75
IN
OUT
V
T
Lowpass Circuit
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
10
10
–4
Forward voltage V (V)
F
F
10
–6
10
–5
10
1.0
10
10
–2
–1
–3
Fig.1 Forward current Vs. Forward voltage
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