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参数资料
| 型号： | HY29F800ABR-55 |
| 厂商： | HYNIX SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 8 Megabit (1Mx8/512Kx16), 5 Volt-only, Flash Memory |
| 中文描述： | 512K X 16 FLASH 5V PROM, 55 ns, PDSO48 |
| 封装： | REVERSE, TSOP-48 |
| 文件页数： | 26/40页 |
| 文件大小： | 279K |
| 代理商： | HY29F800ABR-55 |
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26
Rev. 1.1/Feb 02
HY29F800A
AC CHARACTERISTICS
Word/Byte Configuration (BYTE#)
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0
0
0
2
9
#
Data Output DQ[14:0]
Data Output DQ[7:0]
Data Output DQ[7:0]
Data Output DQ[14:0]
Output DQ[15]
Address Input A-1
Address Input A-1
Data Output DQ[15]
t
ELFL
t
ELFH
t
FHQV
t
FLQZ
CE#
OE#
BYTE#
DQ[14:0]
DQ[15]/A-1
BYTE#
DQ[14:0]
DQ[15]/A-1
BYTE#
switching
from word to
byte mode
BYTE#
switching
from byte to
word mode
Figure 15. BYTE# Timings for Read Operations
Figure 16. BYTE# Timings for Write Operations
t
SET
(t
AS
)
t
HOLD
(t
AH
)
Falling edge of the last WE# signal
CE#
WE#
BYTE#
Note:
Refer to the Program/Erase Operations table for t
AS
and t
AH
specifications.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| HY29F800ABR-55I | 8 Megabit (1Mx8/512Kx16), 5 Volt-only, Flash Memory |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| HY29F800ABR-90 | 制造商:HYNIX 制造商全称:Hynix Semiconductor 功能描述:8 Megabit (1Mx8/512Kx16), 5 Volt-only, Flash Memory |
| HY29F800ABR-90I | 制造商:HYNIX 制造商全称:Hynix Semiconductor 功能描述:8 Megabit (1Mx8/512Kx16), 5 Volt-only, Flash Memory |
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