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参数资料
| 型号： | HY29LV320 |
| 厂商： | Hynix Semiconductor Inc. |
| 英文描述： | 32 Mbit (2M x 16) Low Voltage Flash Memory |
| 中文描述： | 32兆位（200万× 16）低压快闪记忆体 |
| 文件页数： | 35/44页 |
| 文件大小： | 323K |
| 代理商： | HY29LV320 |
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35
r1.3/May 02
HY29LV320
Notes:
1. PA = Program Address, PD = Program Data, D
is the true data at the program address.
2. V
CC
shown only to illustrate t
VCS
measurement references. It cannot occur as shown during a valid command sequence.
Figure 19. Program Operation Timings
Addresses
CE#
t
WC
0x555
PA
PA
PA
OE#
t
AS
t
AH
t
WPH
t
WP
t
GHWL
t
CS
WE#
Data
t
DS
t
DH
0xA0
PD
Status
t
WHWH1
RY/BY#
t
BUSY
t
RB
t
VCS
V
CC
Program Command Sequence (last two cycles)
Read Status Data (last two cycles)
D
OUT
t
CH
Figure 20. Accelerated Programming Voltage Timings
ACC
V
HH
V
IL
or V
IH
t
VHH
t
VHH
V
IL
or V
IH
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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