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参数资料
| 型号： | HY29LV320BT-12I |
| 厂商： | HYNIX SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 32 Mbit (2M x 16) Low Voltage Flash Memory |
| 中文描述： | 2M X 16 FLASH 3V PROM, 120 ns, PDSO48 |
| 封装： | TSOP-48 |
| 文件页数： | 37/44页 |
| 文件大小： | 323K |
| 代理商： | HY29LV320BT-12I |
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r1.3/May 02
HY29LV320
AC CHARACTERISTICS
Notes:
1. VA = Valid Address for reading Toggle Bits (DQ[2], DQ[6]) status data (see Write Operation Status section).
2. Illustration shows first two status read cycles after command sequence, last status read cycle and array data read cycle.
Figure 23. Toggle Bit Timings (During Automatic Algorithms)
t
OEPH
t
AST
t
BUSY
t
CH
t
OE
t
CE
t
RC
Valid Status
Valid Status
Valid Status
RY/BY#
DQ[6], [2]
WE#
OE#
CE#
Addresses
VA
VA
VA
t
ACC
t
OEH
t
OH
t
DF
VA
(second read)
(first read)
(stops toggling)
Valid Data
t
AHT
t
CEPH
t
BUSY
t
CH
t
OE
t
CE
t
RC
VA
Complement
Complement
True
Valid Data
Status Data
Status Data
Data
Valid Data
RY/BY#
DQ[6:0]
DQ[7]
WE#
OE#
CE#
Addresses
VA
VA
t
ACC
t
OEH
t
OH
t
DF
Notes:
1. VA = Valid Address for reading Data# Polling status data (see Write Operation Status section).
2. Illustration shows first status cycle after command sequence, last status read cycle and array data read cycle.
Figure 22. Data# Polling Timings (During Automatic Algorithms)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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