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参数资料
| 型号： | HY51V65403HG(HGL) |
| 英文描述： | 16Mx4|3.3V|4K|45|FP/EDO DRAM - 64M |
| 中文描述： | 16Mx4 | 3.3 | 4K的| 45 |计划生育/ EDO公司的DRAM - 6400 |
| 文件页数： | 8/12页 |
| 文件大小： | 104K |
| 代理商： | HY51V65403HG(HGL) |
HY51V(S)16160HG/HGL
Rev.0.1/Apr.01
8
Write Cycle
Read-Modify-Write Cycle
Refresh cycle
Parameter
Symbol
-50
-60
-70
Unit
Note
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Write command set-up time
tWCS
0
-
0
-
0
-
ns
14,21
Write command hold time
t
WCH
8
-
10
-
15
-
ns
21
Write command pulse width
tWP
8
-
10
-
15
-
ns
Write command to /RAS lead time
t
RWL
13
-
15
-
18
-
ns
Write command to /CAS lead time
t
CWL
13
-
15
-
18
-
ns
23
Data-in set-up time
tDS
0
-
0
-
0
-
ns
15,23
Data-in hold time
tDH
8
-
10
-
15
-
ns
15,23
Parameter
Symbol
-50
-60
-70
Unit
Note
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Read-modify-write cycle time
tRWC
131
-
155
-
181
-
ns
/RAS to /WE delay time
t
RWD
73
-
85
-
98
-
ns
14
/CAS to /WE delay time
tCWD
36
-
40
-
46
-
ns
14
Column address to /WE delay time
t
AWD
48
-
55
-
63
-
ns
14
/OE hold time from /WE
t
OEH
13
-
15
-
18
-
ns
Parameter
Symbol
-50
-60
-70
Unit
Note
Min
Max
Min
Max
Min
Max
/CAS set-up time
( /CAS-before-/RAS Refresh Cycle)
tCSR
5
-
5
-
5
-
ns
21
/CAS hold time
( /CAS-before-/RAS Refresh Cycle)
t
CHR
8
-
10
-
10
-
ns
22
/RAS precharge to /CAS hold time
( /CAS-before-/RAS Refresh Cycle)
t
RPC
5
-
5
-
5
-
ns
21
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PDF描述 |
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