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参数资料
| 型号： | HY57V283220LTP-S |
| 厂商： | HYNIX SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 4 Banks x 1M x 32Bit Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 4M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 6 ns, PDSO86 |
| 封装： | 0.400 X 0.875 INCH, 0.50 MM PITCH, LEAD FREE, TSOP2-86 |
| 文件页数： | 7/15页 |
| 文件大小： | 916K |
| 代理商： | HY57V283220LTP-S |
Rev. 0.9 / July 2004
7
HY57V283220(L)T(P) / HY5V22(L)F(P)
CAPACITANCE ( HY57V283220T Series)
(TA=25
°
C
,
f=1MHz, VDD=3.3
V)
OUTPUT LOAD CIRCUIT
DC CHARACTERISTICS I
(DC operating conditions unless otherwise noted)
Note :
1.V
IN
= 0 to 3.6V, All other pins are not under test = 0V
2.D
OUT
is disabled, V
OUT
=0 to 3.6V
Parameter
Pin
Symbol
Min
Max
Unit
Input capacitance
CLK
C
I1
2.5
4.0
pF
A0 ~ A11, BA0, BA1, CKE, CS, RAS, CAS, WE,
DQM0~3
CI
2
2.5
4.0
pF
Data input / output capacitance
DQ0 ~ DQ31
C
I/O
4.0
6.5
pF
Parameter
Symbol
Min.
Max
Unit
Note
Input leakage current
I
LI
-1
1
uA
1
Output leakage current
I
LO
-1
1
uA
2
Output high voltage
V
OH
2.4
-
V
I
OH
= -2mA
Output low voltage
V
OL
-
0.4
V
I
OL
= +2mA
Vtt=1.4V
RT=500
30pF
Output
DC Output Load Circuit
AC Output Load Circuit
Vtt=1.4V
RT=50
30pF
Output
Z0 = 50
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PDF描述 |
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