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参数资料
| 型号： | HY57V283220T-55 |
| 厂商： | HYNIX SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 4 Banks x 1M x 32Bit Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 4M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 5 ns, PDSO86 |
| 封装： | 0.400 X 0.875 INCH, 0.50 MM PITCH, TSOP2-86 |
| 文件页数： | 14/15页 |
| 文件大小： | 916K |
| 代理商： | HY57V283220T-55 |
Rev. 0.9 / July 2004
14
HY57V283220(L)T(P) / HY5V22(L)F(P)
11.938(0.4700)
11.735(0.4620)
10.262(0.4040)
10.058(0.3960)
22.327(0.8790)
22.149(0.8720)
5deg
0deg
0.597(0.0235)
0.406(0.0160)
0.210(0.0083)
0.120(0.0047)
1.194(0.0470)
0.991(0.0390)
Unit : mm(inch)
0.150(0.0059)
0.050(0.0020)
0.50(0.0197)
0.21(0.008)
0.18(0.007)
PACKAGE INFORMATION (HY57V283220T(P) Series)
400mil 86pin Thin Small Outline Package
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY57V283220T-6 | 4 Banks x 1M x 32Bit Synchronous DRAM |
| HY57V283220T-7 | 4 Banks x 1M x 32Bit Synchronous DRAM |
| HY57V283220T-8 | 4 Banks x 1M x 32Bit Synchronous DRAM |
| HY57V283220T-H | 4 Banks x 1M x 32Bit Synchronous DRAM |
| HY57V283220T-P | 4 Banks x 1M x 32Bit Synchronous DRAM |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| HY57V283220T-6 | 制造商:HYNIX 制造商全称:Hynix Semiconductor 功能描述:4 Banks x 1M x 32Bit Synchronous DRAM |
| HY57V283220T-7 | 制造商:HYNIX 制造商全称:Hynix Semiconductor 功能描述:4 Banks x 1M x 32Bit Synchronous DRAM |
| HY57V283220T-8 | 制造商:HYNIX 制造商全称:Hynix Semiconductor 功能描述:4 Banks x 1M x 32Bit Synchronous DRAM |
| HY57V283220T-H | 制造商:HYNIX 制造商全称:Hynix Semiconductor 功能描述:4 Banks x 1M x 32Bit Synchronous DRAM |
| HY57V283220T-I | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:4Mx32|3.3V|4K|55/6/7/8/P/S|SDR SDRAM - 128M |
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