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参数资料
| 型号： | HY57V643220CLT-6 |
| 厂商： | HYNIX SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 4 Banks x 512K x 32Bit Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 2M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 5.5 ns, PDSO86 |
| 封装： | 0.400 X 0.875 INCH, 0.5 MM PITCH, TSOP2-86 |
| 文件页数： | 3/12页 |
| 文件大小： | 183K |
| 代理商： | HY57V643220CLT-6 |
Rev. 0.8/Aug. 02
3
HY57V643220C
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM
512Kbit x 4banks x 32 I/O Synchronous DRAM
X
S
A0
A1
A10
BA0
BA1
A
Address
Register
Mode Register
Row
Pre
Decoder
Column
Pre
Decoder
Column Add
Counter
Row Active
Column
Active
Burst
Counter
Data Out Control
CAS Latency
Refresh
Counter
DQ0
DQ1
DQ30
DQ31
Self Refresh Logic
& Timer
Pipe Line Control
I
Bank Select
S
CLK
CKE
CS
RAS
CAS
WE
DQM0
DQM1
DQM2
DQM3
512Kx32 Bank 3
X
X
Memory
Cell
Array
Y decoder
X
512Kx32 Bank 0
512Kx32 Bank 1
512Kx32 Bank 2
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY57V643220CLT-7 | 4 Banks x 512K x 32Bit Synchronous DRAM |
| HY57V643220CLT-8 | 4 Banks x 512K x 32Bit Synchronous DRAM |
| HY57V643220D | 4Banks x 512K x 32bits Synchronous DRAM |
| HY57V643220DTP-55 | 4Banks x 512K x 32bits Synchronous DRAM |
| HY57V643220DTP-6 | 4Banks x 512K x 32bits Synchronous DRAM |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| HY57V643220CLT-6I | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:SDRAM|4X512KX32|CMOS|TSSOP|86PIN|PLASTIC |
| HY57V643220CLT-7 | 制造商:HYNIX 制造商全称:Hynix Semiconductor 功能描述:4 Banks x 512K x 32Bit Synchronous DRAM |
| HY57V643220CLT-7I | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:x32 SDRAM |
| HY57V643220CLT-8 | 制造商:HYNIX 制造商全称:Hynix Semiconductor 功能描述:4 Banks x 512K x 32Bit Synchronous DRAM |
| HY57V643220CLT-I | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:2Mx32|3.3V|4K|5|SDR SDRAM - 64M |
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