参数资料
型号: HY5DV651622T-G55
英文描述: DDR Synchronous DRAM
中文描述: DDR同步DRAM
文件页数: 2/27页
文件大小: 273K
代理商: HY5DV651622T-G55
Rev. 0.3/May. 02
2
HY5DV281622AT
Revision History
1. Revision 0.1 (Dec. 01)
1) Define 200Mhz part Specification
2. Revision 0.2 (Apr. 02)
1) Define 233Mhz part Specification
3. Revision 0.3 (May. 02)
1) Input leakage current changed from +/-5uA to +/-2uA
相关PDF资料
PDF描述
HY5DV651622T-G6 DDR Synchronous DRAM
HY5DV651622T-G7 DDR Synchronous DRAM
HY5PS121623F 32Mx16|1.8V|8K|D43/D44/D54/D55|DDR II SDRAM - 512M
HY5PS121623LF 32Mx16|1.8V|8K|D43/D44/D54/D55|DDR II SDRAM - 512M
HY5PS12423F 128Mx4|1.8V|8K|D43/D44/D54/D55|DDR II SDRAM - 512M
相关代理商/技术参数
参数描述
HY5DV651622T-G6 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:DDR Synchronous DRAM
HY5DV651622T-G7 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:DDR Synchronous DRAM
HY5DW113222FM 制造商:HYNIX 制造商全称:Hynix Semiconductor 功能描述:512M(16Mx32) GDDR SDRAM
HY5DW113222FM-2 制造商:HYNIX 制造商全称:Hynix Semiconductor 功能描述:512M(16Mx32) GDDR SDRAM
HY5DW113222FM-22 制造商:HYNIX 制造商全称:Hynix Semiconductor 功能描述:512M(16Mx32) GDDR SDRAM