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参数资料
| 型号： | HY5DV651622TC-G6 |
| 英文描述： | DDR Synchronous DRAM |
| 中文描述： | DDR同步DRAM |
| 文件页数： | 10/27页 |
| 文件大小： | 273K |
| 代理商： | HY5DV651622TC-G6 |
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Rev. 0.3/May. 02
10
HY5DV281622AT
OPERATION COMMAND TRUTH TABLE - II
Current
State
/CS
/RAS
/CAS
/WE
Address
Command
Action
WRITE
L
L
H
H
BA, RA
ACT
ILLEGAL
4
L
L
H
L
BA, AP
PRE/PALL
Term burst, precharge
L
L
L
H
X
AREF/SREF
ILLEGAL
11
L
L
L
L
OPCODE
MRS
ILLEGAL
11
READ
WITH
AUTOPRE-
CHARGE
H
X
X
X
X
DSEL
Continue burst to end
L
H
H
H
X
NOP
Continue burst to end
L
H
H
L
X
BST
ILLEGAL
L
H
L
H
BA, CA, AP
READ/READAP
ILLEGAL
10
L
H
L
L
BA, CA, AP
WRITE/WRITEAP
ILLEGAL
10
L
L
H
H
BA, RA
ACT
ILLEGAL
4,10
L
L
H
L
BA, AP
PRE/PALL
ILLEGAL
4,10
L
L
L
H
X
AREF/SREF
ILLEGAL
11
L
L
L
L
OPCODE
MRS
ILLEGAL
11
WRITE
AUTOPRE-
CHARGE
H
X
X
X
X
DSEL
Continue burst to end
L
H
H
H
X
NOP
Continue burst to end
L
H
H
L
X
BST
ILLEGAL
L
H
L
H
BA, CA, AP
READ/READAP
ILLEGAL
10
L
H
L
L
BA, CA, AP
WRITE/WRITEAP
ILLEGAL
10
L
L
H
H
BA, RA
ACT
ILLEGAL
4,10
L
L
H
L
BA, AP
PRE/PALL
ILLEGAL
4,10
L
L
L
H
X
AREF/SREF
ILLEGAL
11
L
L
L
L
OPCODE
MRS
ILLEGAL
11
PRE-
CHARGE
H
X
X
X
X
DSEL
NOP-Enter IDLE after tRP
L
H
H
H
X
NOP
NOP-Enter IDLE after tRP
L
H
H
L
X
BST
ILLEGAL
4
L
H
L
H
BA, CA, AP
READ/READAP
ILLEGAL
4,10
L
H
L
L
BA, CA, AP
WRITE/WRITEAP
ILLEGAL
4,10
L
L
H
H
BA, RA
ACT
ILLEGAL
4,10
L
L
H
L
BA, AP
PRE/PALL
NOP-Enter IDLE after tRP
L
L
L
H
X
AREF/SREF
ILLEGAL
11
L
L
L
L
OPCODE
MRS
ILLEGAL
11
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY5DV651622TC-G7 | DDR Synchronous DRAM |
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| HY5DV651622T-G7 | DDR Synchronous DRAM |
| HY5PS121623F | 32Mx16|1.8V|8K|D43/D44/D54/D55|DDR II SDRAM - 512M |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| HY5DV651622TC-G7 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:DDR Synchronous DRAM |
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| HY5DV651622T-G6 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:DDR Synchronous DRAM |
| HY5DV651622T-G7 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:DDR Synchronous DRAM |
| HY5DW113222FM | 制造商:HYNIX 制造商全称:Hynix Semiconductor 功能描述:512M(16Mx32) GDDR SDRAM |
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