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参数资料
| 型号： | HY5PS1G821M-C4 |
| 厂商： | HYNIX SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 1Gb DDR2 SDRAM(DDP) |
| 中文描述： | 128M X 8 DDR DRAM, 0.5 ns, PBGA63 |
| 封装： | FBGA-63 |
| 文件页数： | 21/79页 |
| 文件大小： | 1109K |
| 代理商： | HY5PS1G821M-C4 |
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Rev. 0.2 / Oct. 2005
21
1
HY5PS12421(L)M
HY5PS12821(L)M
2.3.2.4 ODT (On Die Termination)
On Die Termination (ODT) is a feature that allows a DRAM to turn on/off termination resistance for each DQ,
DQS/DQS, RDQS/RDQS, and DM signal for x4x8 configurations via the ODT control pin. For x16 configura-
tion ODT is applied to each DQ, UDQS/UDQS, LDQS/LDQS, UDM, and LDM signal via the ODT control pin.
The ODT feature is designed to improve signal integrity of the memory channel by allowing the DRAM con-
troller to independently turn on/off termination resistance for any or all DRAM devices.
The ODT function is supported for ACTIVE and STANDBY modes. ODT is turned off and not supported in
SELF REFRESH mode.
FUNCTIONAL REPRESENTATION OF ODT
Input
Pin
Input
Buffer
DRAM
V
SS
Q
V
SS
Q
V
DD
Q
V
DD
Q
Rval2
Rval2
Rval1
Rval1
sw1
sw1
sw2
sw2
Selection between sw1 or sw2 is determined by “Rtt (nominal)” in EMRS
Termination included on all DQs, DM, DQS, DQS, RDQS, and RDQS pins.
Target Rtt (ohm) = (Rval1) / 2 or (Rval2) / 2
Switch sw1 or sw2 is enabled by ODT pin.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY5PS1G821M-E3 | 1Gb DDR2 SDRAM(DDP) |
| HY5PS1G421LM | 1Gb DDR2 SDRAM(DDP) |
| HY5PS1G421LM-C4 | 1Gb DDR2 SDRAM(DDP) |
| HY5PS1G421LM-E3 | 1Gb DDR2 SDRAM(DDP) |
| HY5PS1G421M | 1Gb DDR2 SDRAM(DDP) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| HY5PS1G821M-E3 | 制造商:HYNIX 制造商全称:Hynix Semiconductor 功能描述:1Gb DDR2 SDRAM(DDP) |
| HY5PS1G831AFP | 制造商:HYNIX 制造商全称:Hynix Semiconductor 功能描述:1Gb DDR2 SDRAM |
| HY5PS1G831AFP-C4 | 制造商:HYNIX 制造商全称:Hynix Semiconductor 功能描述:1Gb DDR2 SDRAM |
| HY5PS1G831ALFP | 制造商:HYNIX 制造商全称:Hynix Semiconductor 功能描述:1Gb DDR2 SDRAM |
| HY5PS1G831ALFP-C4 | 制造商:HYNIX 制造商全称:Hynix Semiconductor 功能描述:1Gb DDR2 SDRAM |
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