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参数资料
| 型号： | HY628100A |
| 厂商： | Hynix Semiconductor Inc. |
| 英文描述： | 128Kx8bit CMOS SRAM |
| 中文描述： | 128Kx8bit CMOS SRAM的 |
| 文件页数： | 8/9页 |
| 文件大小： | 128K |
| 代理商： | HY628100A |
HY628100A Series
Rev.05 /Feb.99
8
DATA RETENTION ELECTRIC CHARACTERISTIC
SYM
V
DR
Parameter
Test Condition
Min
2.0
Typ
-
Max
-
Unit
V
Vcc for Data Retention
/CS1 > Vcc - 0.2V
CS2 < 0.2V or
> Vcc - 0.2V,
Vss<V
IN
<Vcc
Vcc = 3.0V, /CS1>Vcc - 0.2V
CS2< 0.2V or > Vcc - 0.2V,
Vss<V
IN
<Vcc
I
CCDR
Data Retention Current
L
LL
-
-
2
1
50
10
uA
uA
tCDR
tR
Chip Deselect to Data Retention Time
Operating Recovery Time
0
-
-
-
-
ns
ns
tRC
(2)
Notes:
1. Typical values are under the condition of T
A
= 25
°
C.
2. tRC is read cycle time.
DATA RETENTION TIMING DIAGRAM 1
CS1
VDR
CS1>VCC-0.2V
tCDR
tR
VSS
VCC
4.5V
2.2V
DATA RETENTION MODE
DATA RETENTION TIMING DIAGRAM 2
0.4V
VDR
tCDR
tR
VSS
VCC
4.5V
CS2
DATA RETENTION MODE
CS2<0.2V
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY628100ALLG | Circular Connector; No. of Contacts:3; Series:MS27497; Body Material:Aluminum; Connecting Termination:Crimp; Connector Shell Size:12; Circular Contact Gender:Socket; Circular Shell Style:Wall Mount Receptacle RoHS Compliant: No |
| HY628100ALLT1 | 128Kx8bit CMOS SRAM |
| HY628100AG | 128Kx8bit CMOS SRAM |
| HY628100ALG | 128Kx8bit CMOS SRAM |
| HY628100ALT1 | 128Kx8bit CMOS SRAM |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| HY628100AG | 制造商:HYNIX 制造商全称:Hynix Semiconductor 功能描述:128Kx8bit CMOS SRAM |
| HY628100AG-10 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:x8 SRAM |
| HY628100AG-55 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:x8 SRAM |
| HY628100AG-70 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:x8 SRAM |
| HY628100AG-85 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:x8 SRAM |
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