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参数资料
| 型号： | HY62SF16403ALLM-12I |
| 英文描述： | x16 SRAM |
| 中文描述： | x16的SRAM |
| 文件页数： | 7/10页 |
| 文件大小： | 188K |
| 代理商： | HY62SF16403ALLM-12I |
HY62SF16403A Series
Rev.11 / Jun.01
5
TIMING DIAGRAM
READ CYCLE 1 (Note 1,4)
READ CYCLE 2 (Note 1,2,4)
tRC
tAA
Data Valid
Previous Data
tOH
ADDR
Data
Out
READ CYCLE 3(Note 1,2,4)
/CS
/UB, /LB
tACS
Data Valid
tCLZ(3)
tCHZ(3)
Data
Out
Notes:
1. A read occurs during the overlap of a low /OE, a high /WE, a low /CS and /UB and/or /LB .
2. /OE = VIL
3. Transition is measured + 200mV from steady state voltage.
This parameter is sampled and not 100% tested.
4. /CS in high for the standby, low for active
/UB and /LB in high for the standby, low for active
ADDR
tRC
/CS
tAA
tACS
tOH
Data Valid
High-Z
Data
Out
/UB ,/ LB
/OE
tBA
tOE
tCLZ(3)
tBLZ(3)
tOLZ(3)
tCHZ(3)
tBHZ(3)
tOHZ(3)
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PDF描述 |
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