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参数资料
| 型号： | HY62VT08081E-DTC |
| 厂商： | Hynix Semiconductor Inc. |
| 英文描述： | 32Kx8bit CMOS SRAM |
| 中文描述： | 32Kx8bit CMOS SRAM的 |
| 文件页数： | 1/12页 |
| 文件大小： | 192K |
| 代理商： | HY62VT08081E-DTC |
This document is a general product description and is subject to change without notice. Hynix Electronics does not assume any responsibility
for use of circuits described. No patent licenses are implied.
Rev 02 / Apr. 2001 Hynix Semiconductor
HY62K(U,V)T08081E
Series
32Kx8bit CMOS SRAM
Document Title
32K x8 bit 2.7~3.3V / 3.0~3.6V / 2.7~3.6V Low Power Slow SRAM
Revision History
Revision No History Draft Date Remark
00 Initial Jan.20.2000 Final
Merged 3.0V/3.3V SPEC
01 Revised Feb.21.2001 Final
-
Marking Information Change : SOP Type
-
Voh Limit Change : 2.4V => 2.2V @2.7~3.6V
02 Changed Logo Apr.30.2001 Final
-
HYUNDAI -> hynix
-
Marking Information Change
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| HY62UT08081E-DGE | QSW-REED,10MM,10W,SMD |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| HY6316100AJ-25 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:x16 SRAM |
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