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参数资料
| 型号： | HYB39D512160TG-37 |
| 厂商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 元件分类： | 齐纳二极管 |
| 英文描述： | Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
| 中文描述： | 250 的低电流运算，低反向泄露，低噪声稳压二极管 |
| 文件页数： | 15/28页 |
| 文件大小： | 2148K |
| 代理商： | HYB39D512160TG-37 |
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DRAM
M
odules
S
pecialty
DRAMs
Flash
DRAM
Components
22
Nomenclature Graphics RAM and Mobile-RAM
Speed
2.2
=
450 MHz
2.5
=
400 MHz
2.8
=
350 MHz
3.0
=
333 MHz
3.3
=
300 MHz
3.6
=
275 MHz
4.5
=
222 MHz
5
=
200 MHz
7.5
=
133 MHz
8
=
125 MHz
Power Down Current
Low-Power Down Current
Package
C
=
FBGA
T
=
TSOP
E
=
TSOP Lead and Halogen-Free
F
=
FBGA Lead and Halogen-Free
Product Revision
Die Revision
Interface
0
=
LV-TTL Interface
3
=
Matched Impedance 2.5 V VDDQ
5
=
Matched Impedance 1.8 V VDDQ
Organization
80
=
x 8
16
=
x 16
32
=
x 32
Memory Density
128
=
128 Mb
256
=
256 Mb
512
=
512 Mb
Memory Type
D
=
DDR SDRAM or Graphics RAM
L
=
Low-Power SDRAM (Mobile-RAM)
Supply Voltage
18
=
1.8 VVDD
25
=
2.5 VDD / 1.8 VVDD or 2.5 VDDQ
39
=
3.3 VDD / 3.3 VDDQ
Prefix
HYB
=
Standard Prefix for Memory Components
HYE
=
Prefix for Extended Temperature Version
(- 25 °C – + 85 °C)
HYB
25
D
128
32
3
A
C
L
- 3.3
(Example)
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PDF描述 |
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