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IS43DR16640-19FBL

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IS43DR16640-19FBL
深圳市艾飞琪电子科技有限公司
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电话：0755-239499810755-23037082
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IS43DR16640-19FBL 技术参数

IS43DR16320E-3DBLI 功能描述:IC SDRAM 512MBIT 333MHZ 84BGA 制造商:issi, integrated silicon solution inc 系列:- 包装:托盘零件状态:在售格式 - 存储器:RAM 存储器类型:DDR2 SDRAM 存储容量:512M（32M x 16）速度:333MHz 接口:并联电压 - 电源:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）封装/外壳:84-TFBGA 供应商器件封装:84-TWBGA（8x12.5）标准包装:50 IS43DR16320E-3DBL 功能描述:IC SDRAM 512MBIT 333MHZ 84BGA 制造商:issi, integrated silicon solution inc 系列:- 包装:托盘零件状态:在售格式 - 存储器:RAM 存储器类型:DDR2 SDRAM 存储容量:512M（32M x 16）速度:333MHz 接口:并联电压 - 电源:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:0°C ~ 85°C（TC）封装/外壳:84-TFBGA 供应商器件封装:84-TWBGA（8x12.5）标准包装:50 IS43DR16320E-25DBLI 功能描述:IC SDRAM 512MBIT 400MHZ 84BGA 制造商:issi, integrated silicon solution inc 系列:- 包装:托盘零件状态:在售格式 - 存储器:RAM 存储器类型:DDR2 SDRAM 存储容量:512M（32M x 16）速度:400MHz 接口:并联电压 - 电源:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）封装/外壳:84-TFBGA 供应商器件封装:84-TWBGA（8x12.5）标准包装:50 IS43DR16320E-25DBL 功能描述:IC SDRAM 512MBIT 400MHZ 84BGA 制造商:issi, integrated silicon solution inc 系列:- 包装:托盘零件状态:在售格式 - 存储器:RAM 存储器类型:DDR2 SDRAM 存储容量:512M（32M x 16）速度:400MHz 接口:并联电压 - 电源:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:0°C ~ 85°C（TC）封装/外壳:84-TFBGA 供应商器件封装:84-TWBGA（8x12.5）标准包装:50 IS43DR16320C-3DBL-TR 功能描述:动态随机存取存储器 512Mb, 1.8V, 333MHz 32M x 16 DDR2 RoHS:否制造商:ISSI 数据总线宽度:16 bit 组织:1 M x 16 封装 / 箱体:SOJ-42 存储容量:16 MB 最大时钟频率: 访问时间:50 ns 电源电压-最大:7 V 电源电压-最小:- 1 V 最大工作电流:90 mA 最大工作温度:+ 85 C 封装:Tube IS43DR16640B-3DBLI-TR IS43DR16640B-3DBL-TR IS43DR16640C-25DBL IS43DR16640C-25DBLI IS43DR16640C-25DBLI-TR IS43DR16640C-3DBI IS43DR16640C-3DBI-TR IS43DR16640C-3DBL IS43DR16640C-3DBLI IS43DR16640C-3DBLI-TR IS43DR81280A-3DBLI IS43DR81280B-25DBL IS43DR81280B-25DBLI IS43DR81280B-25DBLI-TR IS43DR81280B-25DBL-TR IS43DR81280B-3DBL IS43DR81280B-3DBLI IS43DR81280B-3DBLI-TR